[发明专利]一种锑基纳米棒阵列异质结的光电探测器及其制备方法在审
| 申请号： | 202210535143.7 | 申请日： | 2022-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN114975655A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 曹宇;曲鹏;周静;凌同;朱嘉伟;武颖;贺伟兰;张颉;韩林肖;张国辉 | 申请（专利权）人： | 东北电力大学 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/0352;H01L31/109;H01L31/18;H01L51/46;H01L51/42;H01L51/48;C23C14/06;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 吉林市达利专利事务所 22102 | 代理人： | 陈传林 |
| 地址： | 132012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明一种锑基纳米棒阵列异质结的光电探测器，其包括：掺硼氧化锌透明导电玻璃衬底、锑基纳米棒阵列吸收层、空穴传输层和金属电极，采用ZnO:B透明导电玻璃衬底诱导技术，制备锑基纳米棒阵列中分子链与纳米棒生长取向一致，改善了载流子输运特性，增强了光电流响应；其制备方法为构建合理的锑基纳米棒阵列异质结结构，高度有序的锑基纳米棒阵列作为光吸收层，提高载流子输运特性，制备方法简单、成本低、制备器件性能高、具有较高的工业化应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 阵列 异质结 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东北电力大学，未经东北电力大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210535143.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
