[发明专利]芯片内部SRAM测试方法、装置、存储介质及SSD设备有效

专利信息
申请号: 202210363095.8 申请日: 2022-04-08
公开(公告)号: CN114639439B 公开(公告)日: 2023-03-24
发明(设计)人: 刘昆;孙丽华;陈力 申请(专利权)人: 北京得瑞领新科技有限公司
主分类号: G11C29/56 分类号: G11C29/56
代理公司: 北京慧智兴达知识产权代理有限公司 11615 代理人: 李丽颖
地址: 100192 北京市海淀区西小口路66号*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及数据存储技术领域,提供了一种芯片内部SRAM测试方法、装置、存储介质及SSD设备,该方法包括:将芯片固件运行的物理地址区域重映射到芯片内部的静态随机存取存储器SRAM以外的物理地址区域;接收到测试机发送的开始测试指令时,清空所述SRAM中的数据;将待测试数据写入所述SRAM中的目标测试地址,并在数据写入后对所述SRAM进行可靠性校验。本发明能够在芯片正常工作状态下实现对芯片内部SRAM区域的全区域可靠性测试,弥补芯片内部SRAM从出厂到产品生产过程中可能存在的测试盲点,测试结果准确,测试强度大,而且无需额外测试设备环境,在大大降低测试成本的同时实现了芯片质量的严格把控。
搜索关键词: 芯片 内部 sram 测试 方法 装置 存储 介质 ssd 设备
【主权项】:
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说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

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