[发明专利]红外线侦测结构在审
| 申请号： | 202210291651.5 | 申请日： | 2022-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN114659642A | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 蒋光浩;庄尚余 | 申请（专利权）人： | 鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | G01J5/20 | 分类号： | G01J5/20 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 康艳青;王琳 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 红外线侦测结构包括基材、主动像素阵列、参考像素阵列、光吸收层、侧壁间隔结构以及遮光层。主动像素阵列位于基材上。参考像素阵列位于基材上，并相邻于主动像素阵列，且具有参考像素。参考像素包含基板、电阻元件以及红外线感应材料层。电阻元件位于基板上。红外线感应材料层位于电阻元件上方。光吸收层位于参考像素上方。侧壁间隔结构位于参考像素上方，且延伸于光吸收层的侧壁。遮光层共形地形成于光吸收层以及侧壁间隔结构上方。 | ||
| 搜索关键词： | 红外线 侦测 结构 | ||
【主权项】：
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- 2021-03-30 - 2023-04-18 - G01J5/20
- 本发明涉及一种低1/f噪声探测器像元及采用该像元的非制冷探测器，该像元包括衬底和有效元，有效元包括桥面层，桥面层包括自上而下层设的顶面吸收层和多层热敏感层，相邻两层热敏感层之间通过绝缘层分隔，各热敏感层联接形成有效元电阻结构，有效元电阻结构的阻值与有效元设计阻值匹配。另外还涉及一种降低非制冷探测器1/f噪声的方法，包括：对非制冷探测器的至少部分像元进行降噪处理，对像元的降噪处理包括增大其有效元的敏感材料电阻有效面积；和/或，增大盲元的敏感材料电阻有效面积，以对盲元进行降噪处理。本发明通过增加热敏感层数量，在满足探测器设计要求的前提下，可以增大有效元的敏感材料电阻有效面积，达到对像元和探测器降噪的效果。
- 微测辐射热计-202320077826.2
- 罗雯雯;姜利军;范延军;马志刚;潘峰;钱剑;钱良山 - 杭州大立微电子有限公司
- 2023-01-10 - 2023-04-18 - G01J5/20
- 本实用新型提供了一种微测辐射热计，所述微测辐射热计包括：内部具有相对设置的两读出电路的衬底，所述读出电路用于根据一目标物体的红外辐射获取所述目标物体的温度；具有桥面及两个支撑柱的微桥结构，所述桥面用于吸收所述红外辐射，两个所述支撑柱分别位于所述衬底表面的相对两侧、用于支撑所述桥面悬置于所述衬底上、并用于电连接所述桥面与相应的所述读出电路；形成于所述衬底表面并位于两个所述支撑柱之间的吸气剂膜，所述吸气剂膜用于在对所述微测辐射热计进行真空封装时进行气体吸收。上述技术方案，通过将所述吸气剂膜设置于所述桥面与所述衬底之间，不需要额外空间存放吸气剂，减小了所述微测辐射热计封装后的整体外形尺寸。
- 一种非制冷CMOS红外探测器-202110783306.9
- 翟光杰;武佩;潘辉;翟光强 - 北京北方高业科技有限公司
- 2021-07-12 - 2023-04-14 - G01J5/20
- 本公开涉及一种非制冷CMOS红外探测器，红外探测器中CMOS测量电路系统和CMOS红外传感结构均使用CMOS工艺制备，在CMOS测量电路系统上方直接制备CMOS红外传感结构；CMOS红外传感结构的CMOS制作工艺包括金属互连工艺、通孔工艺、IMD工艺以及RDL工艺，红外探测器中的牺牲层用于使CMOS红外传感结构形成镂空结构，构成有效像元和/或镜像像元中的牺牲层的材料包括硅、锗或锗硅中的至少一种，采用刻蚀气体并采用post‑CMOS工艺腐蚀牺牲层，刻蚀气体包括氟化氙、氯气、溴气、四氯化碳和氟氯代烃中的至少一种。通过本公开的技术方案，解决了传统MEMS工艺红外探测器的性能低，像素规模低，良率低等问题，优化了红外探测器的性能。
- 微机电红外光感测装置及其制造方法-202210354843.6
- 郭沁柔;李柏勋;陈明发 - 财团法人工业技术研究院
- 2022-04-06 - 2023-04-07 - G01J5/20
- 本发明提供一种微机电红外光感测装置及其制造方法，其中该微机电红外光感测装置包含基板以及设置于基板上方的红外光感测元件。红外光感测元件具有互不重叠的感测区域以及光吸收区域。红外光感测元件包含两个红外光吸收结构、红外光感测层以及指叉电极结构。两个红外光吸收结构各自包含至少一个红外光吸收层，且两个红外光吸收结构遍布于感测区域及光吸收区域。红外光感测层介于两个红外光吸收结构之间，红外光感测层位于感测区域且未延伸至光吸收区域。指叉电极结构位于感测区域，且指叉电极结构与红外光感测层电性接触。
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