[发明专利]石墨烯薄膜生长基底及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202210252457.6 | 申请日： | 2022-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN114604860B | 公开（公告）日： | 2023-10-03 |
| 发明（设计）人： | 张宝勋;李炯利;王旭东;王刚;罗圭纳 | 申请（专利权）人： | 北京石墨烯技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/186 | 分类号： | C01B32/186 |
| 代理公司： | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人： | 哈达 |
| 地址： | 100094 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种石墨烯薄膜生长基底及其制备方法和应用。该石墨烯薄膜生长基底的制备方法包括以下步骤：提供铜箔基底，所述铜箔基底具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；对第一表面进行贴保护膜处理，对第二表面进行氧化处理，制备中间体I；去除所述保护膜，露出所述第一表面。该方法操作简单，能降低基底中的碳杂质含量，显著提高石墨烯的单层率，且是可以大批量并以卷对卷的形式进行的，能够显著提升基底的铜箔基底的生产效率，能够用于批量化制备铜箔基底，并与大批量石墨烯薄膜的制备方法结合，提高石墨烯薄膜的生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨 薄膜 生长 基底 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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