[发明专利]具有双铁电层复合薄膜的光电探测器及其制备方法有效
| 申请号： | 202210251334.0 | 申请日： | 2022-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN114628548B | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 李雍;王光成;孙宁宁;郝喜红;张姗;宫傲 | 申请（专利权）人： | 内蒙古科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/032;H01L31/101 |
| 代理公司： | 北京锺维联合知识产权代理有限公司 11579 | 代理人： | 黄利萍 |
| 地址： | 014010 内蒙古*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种具有双铁电层复合薄膜的光电探测器制备方法，该方法包括：按照化学计量比配置镍酸镧底电极、BFMO和BLFO的前驱体溶液。随后在洗净的硅基片上经过旋涂和热处理按顺序分别制备镍酸镧底电极、BLFO铁电层和BFMO铁电层并在顶层溅射上金电极，形成垂直的电极结构及光电探测器。本发明还提供一种光电探测器。本发明能够实现较高的光电探测性能。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 双铁电层 复合 薄膜 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于内蒙古科技大学，未经内蒙古科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210251334.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
