[发明专利]横向光电探测器在审

申请号：	202210055383.7	申请日：	2022-01-18
公开（公告）号：	CN114512557A	公开（公告）日：	2022-05-17
发明（设计）人：	周幸叶;吕元杰;王元刚;梁士雄;冯志红	申请（专利权）人：	中国电子科技集团公司第十三研究所
主分类号：	H01L31/0352	分类号：	H01L31/0352;H01L31/105;H01L31/107
代理公司：	石家庄国为知识产权事务所 13120	代理人：	张一
地址：	050051 ***	国省代码：	河北;13
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	本发明提供一种横向光电探测器。该横向光电探测器包括：衬底；第一外延层，形成于衬底上；X个阳极区和Y个阴极区，X个阳极区和Y个阴极区交替排列，均形成于第一外延层上；其中，X个阳极区和Y个阴极区相互之间均未直接接触，每两个相邻的阳极区和阴极区通过第一外延层形成横向PIN结；X个第一电极，一一对应形成于X个阳极区上，X个第一电极通过第一金属带线电连接；Y个第二电极，一一对应形成于Y个阴极区上，Y个第二电极通过第二金属带线电连接。本发明能够提高光电探测器的工作性能。
搜索关键词：	横向光电探测器
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【主权项】：

暂无信息

下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第十三研究所，未经中国电子科技集团公司第十三研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】

本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210055383.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。

上一篇：一种近红外波段高透过率的铋锗酸盐玻璃及其制备方法
下一篇：文本纠错方法、装置、电子设备和可读存储介质

同类专利

背面P/N型掺杂区隔离的IBC电池制造方法-202311072635.8
发明人：张中建;赵桂香;高荣刚 -专利权人：中节能太阳能科技（镇江）有限公司
申请日： 2023-08-23 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/0352
摘要：本发明公开了一种背面P/N型掺杂区隔离的IBC电池制造方法，P型单晶硅片经碱刻蚀抛光后，在背面依次沉积遂穿氧化层、掺杂薄多晶硅层，再局域激光开膜，接着依次沉积Al2O3层、氮化硅层，然后硅片清洗制绒，在正面沉积氮化硅层，再对背面激光开膜处局域激光刻蚀露出硅基体，最后在硅片背面，激光开膜区域印刷铝浆，负极栅线位置印刷栅线浆料，进行烧结，铝和硅接触形成合金，得到P+区域。本发明对IBC电池背面通过设置相互嵌套的P型掺杂区和N型掺杂区，缩小了重复单元的尺寸，降低了载流子从产生到被吸收的扩散距离，提高了电池转换效率；工艺步骤少，通过局域激光开膜的方式，简单的实现了P型掺杂区和N型掺杂区的有效隔离。

飞行时间传感器和制造飞行时间传感器的方法-202310462828.8
发明人： H·塔迪肯;D·奥芬贝格;T·R·皮纳帕;S·罗腾豪斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/0352
摘要：本公开涉及一种飞行时间传感器和制造飞行时间传感器的方法。该飞行时间传感器包括至少一个像素，该至少一个像素包括：硅基的光电流收集结构和在光电流收集结构上外延生长的锗基的光敏结构，其中所述光电流收集结构包括n掺杂区和p掺杂区，其中所述n掺杂区被配置为将光电流的电子传导到至少一个n接触部，并且其中所述p掺杂区被配置为将光电流的空穴传导到至少一个p接触部，并且其中p掺杂区中的导带包括针对光电流的电子的势垒，并且n掺杂区中的价带包括针对光电流的空穴的势垒。

背接触电池及太阳电池组件-202310961338.2
发明人：胡匀匀;柳伟;陈达明;杨广涛 -专利权人：天合光能股份有限公司
申请日： 2023-08-02 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/0352
摘要：本申请提供了一种背接触电池及太阳电池组件。背接触电池包括半导体衬底，半导体衬底具有相对的正表面和背表面，背表面包括多个相邻且依次排布的区段单元，区段单元与背光面之间形成区段空间；区段单元进一步包括第一区段、第二区段、第三区段和第四区段，区段空间进一步包括第一空间、第二空间、第三空间和第四空间；第一钝化层，仅位于每个第一空间中；第一掺杂半导体层，仅位于每个区段空间中的第一空间中，且紧邻于第一钝化层远离半导体衬底的一侧；第二钝化层，仅位于每个区段空间中的第二空间~第四空间中；以及第二掺杂半导体层，仅位于每个区段空间中的第二空间~第四空间中，且紧邻于第二钝化层远离半导体衬底的一侧。

双极势垒短波红外探测器及制备方法-202311016794.6
发明人：李农;牛智川;王国伟;徐应强;蒋洞微;吴东海;郝宏玥;倪海桥;苏向斌 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-08-14 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L31/0352
摘要：一种双极势垒短波红外探测器及制备方法，该双极势垒短波红外探测器包括：衬底；缓冲层，形成于衬底上；第一接触层，形成于缓冲层上，叠层结构，形成于第一接触层上，且与第一接触层形成台面，叠层结构包括：空穴势垒层，形成于第一接触层上；光吸收层，形成于空穴势垒层上，光吸收层适用于吸收外部的短波红外光，并产生电子和空穴；电子势垒层，形成于光吸收层上；第二接触层，形成于电子势垒层上；第一电极，形成于第一接触层上，且位于叠层结构的两侧，第一电极和第一接触层形成欧姆接触；第二电极，形成于第二接触层上，且位于第二接触层的两端，第二电极和第二接触层形成欧姆接触。

光伏电池、光伏电池组件与光伏电池的制造方法-202310983658.8
发明人：柳伟;胡匀匀;陈达明;季雯娴;王尧;刘志远;王天宇;宗建鹏;王宇航;杨睿 -专利权人：天合光能股份有限公司
申请日： 2023-08-04 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L31/0352
摘要：本申请涉及一种光伏电池、光伏电池组件与光伏电池的制造方法。光伏电池包括：硅基底层，具有背离向光侧的背光面，所述硅基底层内形成有掺杂类型不同的内发射极区与背表面场区，所述内发射极区与所述背表面场区均自所述背光面沿第一方向朝所述硅基底层内部延伸，所述内发射极区与所述背表面场区背离所述背光面的端面平齐，且所述内发射极区与所述背表面场区沿第二方向空间间隔，其中，所述第一方向为所述光伏电池的厚度方向，所述第二方向垂直于所述第一方向。上述光伏电池，能够在不开设沟槽的前提下实现内发射极区和背表面场区的隔离，从而能尽量保证电池的强度，降低电池断裂的风险。

一种顶层掺杂的平面光导型非倒装键合量子点成像芯片-202311175348.X
发明人：郝群;唐鑫;魏志鹏;陈梦璐;蔡红星 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2023-09-13 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L31/0352
摘要：一种顶层掺杂的平面光导型非倒装键合量子点成像芯片。属于光电传感器技术领域，具体涉及胶体量子点探测器成像技术领域。其解决了光导型胶体量子点红外探测器暗电流较大、噪声大且信号灵敏度较低的问题。所述成像芯片包括基底、电极、本征量子点层和空穴掺杂量子点层；所述基底置于最底层，所述本征量子点层附着于基底之上，所述空穴掺杂量子点层附着于本征量子点层之上，所述电极设置在基底之中，位置为基底与本征量子点层交界处。所述芯片及其制备方法可以应用在光电探测技术领域。

红外探测器及其制作方法-202311180186.9
发明人：黄勇 -专利权人：苏州晶歌半导体有限公司
申请日： 2023-09-13 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L31/0352
摘要：提供了一种红外探测器，其包括P型势垒层（12）、P型吸收层（13）以及P型过渡层（14），其中，所述P型势垒层（12）为P型InGaAsP材料，所述P型吸收层（13）为P型InGaAs/GaAsSb超晶格，所述P型过渡层（14）为P型InGaAsP材料。还提供了一种该红外探测器的制作方法。该红外探测器采用了P型InGaAs/GaAsSb超晶格吸收层结合P型InGaAsP形成的三明治结构，如此可以很好的提高红外探测器的量子效率，抑制红外探测器的暗电流以及帮助少子输运，从而使红外探测器的性能更好。

太阳能电池模块-202310398522.0
发明人：入川淳平;桥本治寿 -专利权人：松下控股株式会社
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L31/0352
摘要：太阳能电池模块(10、410)包括利用配线件(4)将多个太阳能单电池(3、103、203、303、403)电串联连接而成的太阳能电池串(50)。太阳能单电池3具有位于单电池受光面(80)与单电池背面(81)之间的单电池截面(40)。单电池截面(40)包括均方根粗糙度为第1值以上的第1单电池截面部(40a、440a)、和均方根粗糙度小于第1值的第2单电池截面部(40b、440b)。配线件(4)以从厚度方向的受光面侧平视时在与单电池截面(40)交叉的位置比第1单电池截面部(40a、440a)靠近第2单电池截面部(40b、440b)的方式配置。

窄线宽小周期高吸收率的石墨烯纳米线阵列红外探测器-202311116525.7
发明人：黄小平;陈若童;王宇成;赵青 -专利权人：电子科技大学长三角研究院（湖州）;电子科技大学
申请日： 2023-08-31 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L31/0352
摘要：本发明公开了一种窄线宽小周期高吸收率的石墨烯纳米线阵列红外探测器，属于光电技术领域。该器件包括衬底、石墨烯纳米线阵列、金电极，通过改变石墨烯纳米线的宽度、周期和器件费米能级，从而调控探测器的吸收率和吸收波段；该器件的制备方法首先在衬底上制备石墨烯薄膜，然后采用EBL刻蚀工艺、电子束蒸镀机完成电极加工；最后结合EBL刻蚀和ICP刻蚀，制备得到石墨烯纳米线阵列红外探测器。本发明提出的窄线宽小周期高吸收率的石墨烯纳米线阵列红外探测器，具有吸收率高、探测范围广、光谱可调谐等特点，对长波、甚长波红外波段具有较好的探测性能。

光电二极管和光电二极管的制造方法-202310337818.1
发明人： B·罗德里格斯·冈卡尔维斯;P·福特内奥 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L31/0352
摘要：本公开涉及光电二极管和光电二极管的制造方法。在具有第一表面和第二表面的半导体衬底中形成光电二极管。半导体衬底包括通过外延生长形成的第一N型半导体区域和从第一表面延伸到第一N型半导体区域中的第二N型半导体区域(比第一区域更重掺杂)。第一N型半导体区域的掺杂剂浓度在半导体衬底的第二表面和第一表面之间逐渐增加。在第一表面的第二N型半导体区域中形成注入的重P型掺杂区域。

一种超晶格甚长波红外探测器结构-202010529281.5
发明人：施毅;岳壮豪;牛智川;王国伟;徐应强;蒋洞微;常发冉;李勇;王军转;郑有炓 -专利权人：南京大学
申请日： 2020-06-11 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L31/0352
摘要：一种基于锑化物超晶格的甚长波红外探测器结构，包括从下到上的以下结构：衬底，缓冲层，甚长波波段吸收层，中长波波段势垒层，甚长波波段欧姆接触层，顶盖层；缓冲层外延于所述衬底之上；本发明拥有良好载流子输运性能的锑化物超晶格甚长波红外探测器。本发明引入了同型结和分段掺杂，同时对各个区域超晶格结构，掺杂浓度和厚度进行了调控以得到高综合探测率的红外探测器结构。

一种长波nBn型InAsSb红外探测器材料及红外探测器-202223103642.3
发明人：陈冬琼;赵鹏;杨文运;宋欣波;李德香;王海澎;李立华;施静梅;戴欣冉;白兰艳;黄晖 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L31/0352
摘要：本实用新型涉及一种长波nBn型InAsSb红外探测器材料及红外探测器，属于红外探测器技术领域。所述材料的结构由下向上依次为衬底、GaSb缓冲层、Al1‑xInxSb组分渐变缓冲层、底电极接触层、吸收层、势垒层及顶电极接触层。通过设计红外探测器材料的结构，获得所述红外探测器材料。采用所述红外探测器材料的红外探测器，可实现8μm～10.6μm的长波探测。

一种雪崩光电二极管探测装置-202110335457.8
发明人：雷述宇 -专利权人：宁波飞芯电子科技有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L31/0352
摘要：本发明公开了一种雪崩光电二极管探测装置，其特征在于，所述雪崩光电二极管探测装置包括至少一个单光子雪崩二极管，所述光子雪崩二极管包括半导体衬底、有源区以及操作电路；所述单光子雪崩二极管还包括辅助区域和电子收集区域；其中所述有源区与所述操作电路电连接。通过本发明的结构，降低被俘获的载流子数，从而有效的降低后脉冲的产生概率，另外可以让被俘获的载流子在雪崩时间被释放，可以避免错误计数的产生，提高探测装置的精度和稳定性。

一种背面采用双层隧穿层结构的topcon电池及其制备方法-202310985217.1
发明人：柳冉冉;高芳丽;郭小飞;戴欣欣 -专利权人：滁州捷泰新能源科技有限公司
申请日： 2023-08-07 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L31/0352
摘要：本发明涉及电池领域，具体涉及一种背面采用双层隧穿层结构的topcon电池及其制备方法，包括以下步骤：(1)制取绒面硅片；(2)硼扩散；(3)形成遂穿氧化层1和非晶硅层1；(4)形成遂穿氧化层2和非晶硅层2；(5)转化为多晶硅层1和多晶硅层2；(6)制取初型电池片；(7)去除初型电池片正面及边缘的绕镀多晶硅；(8)生长氧化铝钝化层以及沉积氮化硅减反层；(9)印刷电极。本发明提供一种新型topcon电池结构，在背面多晶硅低掺杂层与高掺杂层之间增加一层隧穿层2作为湿法阻挡层，对低掺杂多晶硅起保护作用，在清洗硅片正面以及边缘的绕镀多晶硅后，其对应隧穿层2的金属化部分得以保留，且提高钝化效果，从而提升电池的性能。

基于PbSe胶体量子点的红外光电探测器及其制备方法-202311034795.3
发明人：王登魁;杨丹;方铉;项超;张德权;张玉亭;房丹 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2023-08-16 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L31/0352
摘要：本申请提供一种基于PbSe胶体量子点的红外光电探测器及其制备方法，涉及半导体材料领域。基于PbSe胶体量子点的红外光电探测器，包括由上至下依次层叠设置的顶部电极接触层、第一PbSe CQD吸收层、CQD阻挡层、第二PbSe CQD吸收层和底部电极接触层；所述第一PbSe CQD吸收层和所述第二PbSe CQD吸收层的原料包括第一配体组装后的PbSe胶体量子点，所述CQD阻挡层的原料包括ZnO胶体量子点或者第二配体组装后的PbS胶体量子点或Ag2Se CQD胶体量子点。本申请提供的基于PbSe胶体量子点的红外光电探测器，能够实现探测器探测波长的轻松调控。

PIN二极管检测器、制造方法和包括PIN二极管检测器的系统-202210552119.4
发明人：李连杰;韩峰;张璐;陆胜天;桂林春;张成林 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司;台积电（中国）有限公司
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L31/0352
摘要：本公开涉及PIN二极管检测器、制造方法和包括PIN二极管检测器的系统。一种PIN二极管检测器包括衬底。PIN二极管检测器还包括位于像素区域中的多个PIN二极管阱，其中多个PIN二极管阱中的每一个具有第一掺杂剂类型。PIN二极管检测器还包括位于外围区域中的具有第一掺杂剂类型的连接环阱和多个浮置环阱。PIN二极管检测器还包括包围多个浮置环阱的场阻环阱，其中场阻环阱具有与第一掺杂剂类型相反的第二掺杂剂类型。PIN二极管检测器还包括毯式掺杂区域。毯式掺杂区域连续地延伸穿过整个像素区域和整个外围区域，并且毯式掺杂区域具有第二掺杂剂类型。

一种单光子雪崩二极管单元、探测器及其制备方法-202310852551.X
发明人：王申;杨振兴 -专利权人：南京芯视界微电子科技有限公司
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L31/0352
摘要：本发明提供一种单光子雪崩二极管单元、探测器及其制备方法，SPAD单元在纵截面上包括：衬底，设置在所述衬底上表面的外延层及设置在所述外延层中的第一阱区，通过在第一阱区上下表面设置正向第二阱区、反向第二阱区，从而形成两个雪崩倍增区域来提高SPAD对不同波长的探测效率，其中接近表面的雪崩区域对短波长响应更灵敏，第一阱区与两个相邻的正向第二阱区、反向第二阱区形成的雪崩倍增区域碰撞电离强度大，提高了SPAD的探测效率，通过在纵向上设计叠加的PN结，充分地利用了SPAD的面积，为宽光谱响应，高探测效率，和小型化的SPAD阵列提供了新思路。

光电转换器件、装置及其制造方法-202310896441.3
发明人：刘德胜;吕晨晋;李佳鹏;莫良华 -专利权人：深圳阜时科技有限公司
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L31/0352
摘要：本申请提供了一种光电转换器件，该光电转换器件包括：半导体基材；P型掺杂区和/或N型掺杂区，设置于所述半导体基材内，所述P型掺杂区和所述N型掺杂区构成的PN结形成对应的耗尽区；或者所述半导体基材分别和P型掺杂区或N型掺杂区构成的PN结形成对应的耗尽区；耗尽区调节结构，设置于所述半导体基材内，用于调整所述耗尽区的大小。本申请还提供一种包括所述光电转换器件的光电感测装置及所述光电转换器件的制造方法。

一种氧化锡氧化镉超晶格日盲探测器结构及其制备方法-202310847106.4
发明人：王治洋;李金华;陈泽磊 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L31/0352
摘要：本发明属于光电探测技术领域，具体涉及一种氧化锡氧化镉超晶格日盲探测器结构及其制备方法。结构包括叉指电极，叉指电极之间为氧化锡氧化镉超晶格材料薄膜，厚度为100~200nm。制备方法包括如下步骤：步骤Ⅰ：通过光刻的方法，经过涂胶、曝光、显影和刻蚀后在硅片衬底上形成叉指电极；步骤Ⅱ：将所制备的氧化锡氧化镉超晶格材料分散于适量的乙醇溶液中，超声处理直至粘稠状，然后通过旋涂的方式涂抹于步骤Ⅰ中制备的叉指电极上，之后于80°C的环境下老化0.5h，即制得目标器件。本发明利用量子尺寸效应，实现了电子在紫外波段的能级跃迁方式，且制备的光电探测器具有较好的响应速度。

复合型自驱动氧化锌同质结基紫外探测器及其制备方法-202210560525.5
发明人：姜明明;唐楷;施大宁;阚彩侠 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L31/0352
摘要：本发明公开了一种复合型自驱动氧化锌同质结基紫外探测器，生长p‑ZnO:Sb微米线并在其上表面蒸镀Ag薄膜，并以n‑ZnO薄膜为衬底，在衬底上依次蒸镀MgO空穴阻挡层和Au薄膜电极，然后放置上表面蒸镀有Ag薄膜的p‑ZnO:Sb微米线，最后覆盖上有Au薄膜电极的ITO导电玻璃；本发明采用CVD法生长的p‑ZnO:Sb微米线与n‑ZnO薄膜，结合MgO空穴阻挡层和Ag薄膜构筑ZnO基同质结自驱动紫外光电探测器。该新型结构的紫外光电探测器通过MgO空穴阻挡层调控能带，降低器件中暗电流，引进Ag颗粒膜表面等离激元效应增大光电流，以此提高器件的探测效率和响应速率。

IBC太阳能电池片、IBC太阳能电池组件和光伏系统-202310583236.1
发明人：王永谦;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L31/0352
摘要：本申请涉及太阳能电池技术领域，提供了一种IBC太阳能电池片、IBC太阳能电池组件和光伏系统，硅片的背光面形成有沟槽区域和非沟槽区域，第一极性掺杂层在沟槽区域的预设位置处具有伸出至沟槽区域上的伸出部分，伸出部分的第一表面上设有第二介电层，第一表面具有相邻且连续的第一区域和第二区域，第二介电层在第二区域处的厚度大于第二介电层在第一区域处的厚度，第二介电层在第一区域具有隧穿功能，在预设位置处，第二极性掺杂层具有包绕部分，包绕部分层叠覆盖第二介电层。如此，可有效的减少复合交界区域所辐射的范围以减少硅片被影响的载流子的数量，提高效率，同时也可以在保证钝化效果的同时实现更好的电注入效果以提升修复效率和修复效果。

一种双面碳化硅PIN结构微条辐射探测器及其制备方法-202210198261.3
发明人：崔兴柱;夏晓川;梁晓华;梁红伟;汪锦州 -专利权人：中国科学院高能物理研究所;大连理工大学
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L31/0352
摘要：本发明公开了一种双面碳化硅PIN结构微条辐射探测器及其制备方法。本发明的探测器以碳化硅单晶(1)为基体，碳化硅单晶(1)碳面注入多个微条形结构的n型碳化硅层(2)，碳化硅单晶(1)硅面设有多个与n型碳化硅层(2)垂直的p型碳化硅结构(3)；每一n型碳化硅层(2)上设置一下电极(4)，碳化硅单晶(1)碳面上设置第一保护环，各下电极(4)之间、各下电极(4)与第一保护环之间以及第一保护环外侧填充有绝缘介质保护层(6)；每一p型碳化硅结构(3)上设置一上电极(5)，在碳化硅单晶(1)硅面上设置第二保护环，各上电极(5)之间、各上电极(5)与第二保护环之间以及第二保护环外侧填充有绝缘介质保护层(6)。

一种光敏电阻、制备方法及其形成的传感器-202010258514.2
发明人：康晓旭;钟晓兰 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2020-04-03 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L31/0352
摘要：本发明公开了一种光敏电阻，包括谐振腔、反射层、电极、层状石墨烯以及嵌在层状石墨烯表面的量子点，其中，所述反射层位于所述谐振腔的底部，所述电极位于所述谐振腔的四周，所述层状石墨烯位于所述谐振腔和电极的上表面；当入射光入射至所述光敏电阻时，所述量子点被入射光激发出的电子经过所述层状石墨烯传输至电极，引起所述光敏电阻的阻值变化。本发明提供的一种光敏电阻，以石墨烯为基底，嵌在层状石墨烯表面的量子点作为扩展吸收使用，使得量子点产生的电子快速被基底传输到电极，从而提升光敏电阻性能。

一种NiO紫外光电探测器及其制备方法-202011468770.0
发明人：杨为家;符跃春;王凤鸣;姚娟;何鑫 -专利权人：广西大学;五邑大学
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L31/0352
摘要：本发明公开了一种NiO紫外光电探测器及其制备方法，所述NiO紫外光电探测器包括由下至上排列的衬底、NiO薄膜、二氧化硅薄膜和金属电极，所述二氧化硅薄膜上通过光刻腐蚀出若干个凹槽，每个凹槽内竖直插设有NiO柱，所述二氧化硅薄膜的上表面涂覆有碳纳米管形成碳纳米网格，所述NiO柱的周围和碳纳米网格的上表面涂覆AlN纳米晶，并在AlN纳米晶的表面包覆金属量子点，所述金属电极溅射在AlN纳米晶的表面。本发明制备的NiO紫外光电探测器具有尺寸可控、分布均匀性好、综合性能优良的优点；采用无掩膜光刻技术，可以大幅度节约成本，相对于传统技术节省2‑10％的成本。

一种三明治结构阵列式多孔紫外光电探测器及其制备方法-202011470361.4
发明人：杨为家;符跃春;王凤鸣;姚娟;何鑫 -专利权人：广西大学;五邑大学
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L31/0352
摘要：本发明公开了一种三明治结构阵列式多孔紫外光电探测器及其制备方法，所述紫三明治结构阵列式多孔紫外光电探测器包括衬底和FTO/ITO薄膜，所述FTO/ITO薄膜涂覆在衬底上，所述FTO/ITO薄膜的上方固定设有阵列式的柱状结构，该柱状结构由下往上依次为涂覆有碳纳米管网络层、AlN纳米晶薄膜层、NiO纳米晶薄膜层和碳纳米管网络层，所述FTO/ITO薄膜上方的两侧边设有位置相对的金属电极，并在最上层碳纳米管网络层的两侧镀上同样的金属电极。本发明制备的三明治结构阵列式多孔紫外光电探测器，该探测器具有尺寸可控、分布均匀性好的优点，提高了器件在恶劣环境下的工作性能；采用无掩膜数字曝光机制备模板，优化制备工艺，更加符合工业化生产的需求。

量子阱多结叠层柔性太阳电池及其制备方法-202310162749.5
发明人：龙军华;陆书龙;孙强健;李雪飞 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L31/0352
摘要：本发明揭示了一种量子阱多结叠层柔性太阳电池及其制备方法，所述太阳电池从下向上依次包括柔性衬底、InGaAs底电池、布拉格反射器、量子阱中间电池及GaInP顶电池，所述量子阱中间电池从下向上依次包括GaInP层、GaAs缓冲层、多个量子阱结构及GaAs发射层，所述量子阱结构为未掺杂的InGaAs/GaAsP量子阱结构。本发明的量子阱多结叠层柔性太阳电池通过改进子电池结构，巧妙利用量子阱和高通布拉格反射器拓展光谱范围，产生子带隙电流，大幅度提升了太阳电池的短路电流密度，从而提升了光电转换效率。

低噪声单光子探测器及其制备方法-202310875967.3
发明人：张世凤;任艳玲;李少斌;胡安琪;刘巧莉;郭霞 -专利权人：北京邮电大学
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L31/0352
摘要：本发明提供一种低噪声单光子探测器及其制备方法，包括：衬底；钝化层，形成于衬底的第一表面；第一电荷层，形成于衬底内；第二电荷层，形成于衬底内且位于第一电荷层的背向钝化层的一侧，第二电荷层与第一电荷层接触，第一电荷层与第二电荷层的掺杂类型不同，第一电荷层和第二电荷层中的至少一个构造为适于束缚光生电荷，第一电荷层与第二电荷层中的至少一个的特征尺寸小于500nm；第一接触电极，第一接触电极与第一电荷层连接；第二接触电极，第二接触电极与衬底连接。根据本发明的低噪声单光子探测器，基于量子限制斯塔克效应，在光子入射前处于线性模式，在光子入射后触发雪崩效应，可以降低雪崩背景噪声，提高器件探测效率。

双工通信器件、集成芯片及其制备方法-202210228813.0
发明人：魏同波;何瑞;姬小利;王军喜 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L31/0352
摘要：本发明提供了一种双工通信器件，包括：衬底；成核层，设置在衬底上；超晶格过滤位错层，设置在成核层上；第一氮化物层，设置在超晶格过滤位错层上，第一氮化物层的顶面的一侧包含台面，台面的厚度小于第一氮化物层的厚度；主探测有源区，设置在第一氮化物层顶面的另一侧上；主发光有源区，设置在主探测有源区上；第二氮化物层，设置在主发光有源区上；第二电极，设置在台面上；第一电极，设置在第二氮化物层上；钝化保护层，设置在台面上并延伸到第二氮化物层的侧壁和上表面上；加厚层，设置在第二电极和第一电极上。本发明还提供了一种集成芯片及其制备方法。

半导体器件及半导体器件的制造方法-202310248150.3
发明人：董伟;广瀬和义 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L31/0352
摘要：半导体器件(1A)具备：在一面(2a)侧具有包含凹部(4)而构成的凹凸结构(K)的半导体层(2)、设置于半导体层(2)的一面(2a)的第一电极膜(第一蒸镀膜)(3A)、以及设置于凹部(4)的底面(4c)的第二电极膜(第二蒸镀膜)(3B)，并设置有截面积相对于凹部(4)的开口部分(4b)侧的部分扩大的扩大部分(J)。

纳米材料修饰透光薄膜的光电探测器及其制备方法-202110190212.0
发明人：曹阳;王晨凤;陈浩 -专利权人：北京信息科技大学
申请日： 2021-02-18 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L31/0352
摘要：一种纳米材料修饰透光薄膜的光电探测器，能够显著提高光电探测器的性能，制备简单、成本低廉，在实际应用中具有广阔前景。包括：中空凹槽结构、透光薄膜、第一纳米材料层、第二纳米材料层、沉积电极；透光薄膜的上、下表面分别设置第一纳米材料层、第二纳米材料层，沉积电极在第二纳米材料层的下表面，然后将透光薄膜固定于中空凹槽结构上，从而使透光薄膜处于悬浮状态；入射光线依次经过第一纳米材料层、透光薄膜、第二纳米材料层、沉积电极。还提供了制备方法。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

[发明专利]横向光电探测器在审

专利文献下载