[发明专利]用于硅锗层的气相选择性蚀刻的新型方法在审

专利信息
申请号: 202180022511.1 申请日: 2021-04-07
公开(公告)号: CN115605982A 公开(公告)日: 2023-01-13
发明(设计)人: 阿什维尼·K·辛哈;C·马;A·雷伊尼克尔;A·M·阿塞力利耶 申请(专利权)人: 普莱克斯技术有限公司;林德有限责任公司
主分类号: H01L21/3065 分类号: H01L21/3065;H01L21/3213
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 张慧;林毅斌
地址: 美国康*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供了用于相对于Si选择性地蚀刻SiGe的方法。该方法中的一些方法包括在Si层的表面上形成钝化层以增强SiGe蚀刻剂选择性,以及在存在钝化层的情况下使用优先蚀刻SiGe而不是Si的卤间化合物气体。这些方法可以以循环方式进行,直到获得所需厚度的SiGe层。
搜索关键词: 用于 硅锗层 选择性 蚀刻 新型 方法
【主权项】:
暂无信息
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