[发明专利]弹性波装置在审

专利信息
申请号: 202180015047.3 申请日: 2021-03-03
公开(公告)号: CN115104256A 公开(公告)日: 2022-09-23
发明(设计)人: 岩本英树 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H03H9/25 分类号: H03H9/25
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 韩聪
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明使在比为了得到特性而使用的激励模式靠低频侧的频带产生的瑞利模式的杂散、以及在比上述激励模式靠高频侧的频带产生的高阶模的杂散降低。弹性波装置(1)具备支承基板(2)、第1压电体层(3A)以及第2压电体层(3B)、和IDT电极(6)。第1压电体层(3A)以及第2压电体层(3B)设置在支承基板(2)。IDT电极(6)设置在第1压电体层(3A),具有多个电极指(63)。第2压电体层(3B)设置在第1压电体层(3A)与支承基板(2)之间。第1压电体层(3A)以及第2压电体层(3B)为钽酸锂或者铌酸锂。第2压电体层(3B)的欧拉角与第1压电体层(3A)的欧拉角不同。
搜索关键词: 弹性 装置
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社村田制作所,未经株式会社村田制作所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202180015047.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
  • 一种双重横模抑制的声表面波谐振器结构-202311218719.8
  • 李晓辉;纪宣 - 苏州声芯电子科技有限公司
  • 2023-09-21 - 2023-10-27 - H03H9/25
  • 本发明公开了一种双重横模抑制的声表面波谐振器结构,属于声表面波滤波器技术领域,其包括压电基板和叉指换能器,叉指换能器包括第一汇流条、第二汇流条、第一叉指电极和第二叉指电极;叉指换能器的表面覆盖有钝化层,钝化层上设置有第一横模抑制结构和第二横模抑制结构,第一横模抑制结构与第二横模抑制结构相邻的一侧为第一临近侧面,第二横模抑制结构与第一横模抑制结构的相邻的一侧为第二临近侧面,第一临近侧面和/或第二临近侧面具有导出斜面结构。该声表面波谐振器结构不但能够抑制横向杂波,而且还能将横向杂波的能量向纵向两侧导出,从而实现双重横模抑制的效果。
  • 弹性波装置-202280019895.6
  • 木村哲也;久保新太郎 - 株式会社村田制作所
  • 2022-02-08 - 2023-10-27 - H03H9/25
  • 本发明提供一种能够抑制压电层的厚度的偏差的弹性波装置。弹性波装置(10)具备:支承构件(13),具有支承基板;压电层(14),设置在支承构件(13)上;以及激励电极,设置在压电层(14)上。在支承构件(13)设置有空洞部(13c)。在俯视下,激励电极的至少一部分与空洞部(13c)重叠。压电层(14)中的在俯视下与空洞部(13c)重叠的部分为薄膜部(15)。薄膜部(15)具有第1方向(w1)和与第1方向(w1)正交的第2方向(w2)。薄膜部(15)具有位于第1方向(w1)上的中央的中央部(15c)和在第1方向(w1)上夹着中央部(15c)相互对置的第1部分(15a)和第2部分(15b),并且具有外周缘。薄膜部(15)的第1部分(15a)以及第2部分(15b)中的外周缘的至少一部分位于比中央部(15c)中的外周缘靠第2方向(w2)上的外侧。
  • 具有拓扑输运功能的声表面波器件及其调控方法和应用-202310280981.9
  • 蔡海;郑如萍;唐在启 - 北京深谋科技有限公司
  • 2023-03-22 - 2023-10-27 - H03H9/25
  • 本发明提出了一种具有拓扑输运功能的声表面波器件及其调控方法和应用,当h1=h4,h2=h3时,第一声子晶体结构和第二声子晶体结构存在具有相同大小的表面模式禁带,并且它们的拓扑性质不同。将具有不同拓扑性质的第一声子晶体结构和第二声子晶体结构拼接形成不同的分界面,例如“Z”字形的分界面时,在它们的公共禁带中可以观察到沿着分界面传输的声表面波,这种传输模式具有免疫背向散射的特点,这大大降低了传输时的损耗;本发明的声表面波器件,具有拓扑保护的性质,使得SAW在不同拓扑性质的第一声子晶体结构和第二声子晶体结构拼接形成不同的分界面传输时可以免疫缺陷和大角度转角引起的损耗,且相应拓扑通道中的传输模式可以免疫背向散射,增加传输效率。
  • 体声波谐振器、滤波器和电子设备-201910882208.3
  • 杨清瑞;庞慰;张孟伦 - 天津大学;诺思(天津)微系统有限责任公司
  • 2019-09-18 - 2023-10-27 - H03H9/25
  • 本发明涉及体声波谐振器,包括:基底;声学镜;底电极;顶电极;压电层,声学镜、底电极、压电层、顶电极在基底的厚度方向重叠的区域为谐振器的有效区域;与顶电极同层布置的附加结构,所述附加结构与顶电极在径向方向上具有将两者间隔开的间隙;和沿所述有效区域的边缘布置的插入层,所述插入层包括在谐振器的厚度方向上设置于所述附加结构的下方的第一插入部,且在所述谐振器的俯视图中,所述第一插入部与所述附加结构重叠,所述第一插入部由空气或介质材料形成。本发明还涉及滤波器与电子设备。
  • 声表面波滤波器以及多工器-201780068594.1
  • 高峰裕一;岩本英树 - 株式会社村田制作所
  • 2017-10-20 - 2023-10-27 - H03H9/25
  • 滤波器(15)具备切割角为θ°的LiTaO3压电层(227)、高声速支承基板(228)、低声速膜(226)以及IDT电极(22),根据IDT电极(22)的波长λ、IDT电极(22)的膜厚TIDT、IDT电极(22)的比重ρ、电极占空比D、压电层(227)的厚度TLT以及低声速膜(226)的膜厚TVL求出瑞利波的杂散成为极小的压电层(227)的最佳切割角θB,压电层(227)的切割角θ(°)满足θB‑4≤θ≤θB+4的关系。
  • 弹性波装置-202280018337.8
  • 木村哲也 - 株式会社村田制作所
  • 2022-03-01 - 2023-10-24 - H03H9/25
  • 本发明使Q值提高。弹性波装置具备:支承构件,在第1方向上具有厚度;压电层,设置在所述支承构件的所述第1方向上;以及IDT电极,设置在所述压电层的所述第1方向上,该IDT电极具有在与所述第1方向正交的第2方向上延伸的多个第1电极指、连接了所述多个第1电极指的第1汇流条电极、在与所述第2方向正交的第3方向上与所述多个第1电极指中的任一个对置并在所述第2方向上延伸的多个第2电极指、以及连接了所述多个第2电极指的第2汇流条电极,在所述支承构件,在所述压电层侧,在所述第1方向上俯视时至少一部分与所述IDT电极重叠的位置设置有空洞部,在所述压电层,设置有在所述第1方向上俯视时将至少一个第1电极指与所述第2汇流条电极之间的区域的所述压电层贯通的至少一个第1贯通孔,所述第1贯通孔与所述空洞部连通,在所述第3方向上具有长度,在所述第1方向上俯视时与至少一个第2电极指的一部分重叠。
  • 一种声表面波谐振装置、声表面波滤波装置及电子设备-202311188657.0
  • 李国强;衣新燕 - 广州市艾佛光通科技有限公司
  • 2023-09-15 - 2023-10-24 - H03H9/25
  • 本申请实施例涉及通信领域,尤其涉及一种声表面波谐振装置,包括叉指换能器及分别设于叉指换能器两侧的第一反射器和第二反射器;叉指换能器具有有效孔径区及相对设置的第一声速区和第二声速区,有效孔径区设于第一声速区和第二声速区之间;第一反射器和第二反射器分别独立包括与有效孔径区位置对应的主反射栅、与第一声速区位置对应的第一辅助反射栅及与第二声速区位置对应的第二辅助反射栅。本申请还涉及一种声表面波滤波装置及电子设备。本申请利用第一反射器和第二反射器上的主反射栅反射沿叉指换能器的长度方向传播的声表面波,及第一辅助反射栅和第二辅助反射栅反射倾斜泄漏传播的声表面波,从而提升本申请声表面波谐振装置的Q值。
  • 谐振器、滤波器、多工器和射频前端模组-202311188896.6
  • 刘旻俊;杜波;王华磊;倪建兴 - 锐石创芯(深圳)科技股份有限公司;锐石创芯(重庆)科技有限公司
  • 2023-09-15 - 2023-10-24 - H03H9/25
  • 本申请涉及一种谐振器、滤波器、多工器和射频前端模组。该谐振器包括压电衬底以及设于压电衬底上的叉指换能器,叉指换能器包括平行且间隔排列的两个汇流条、位于两个汇流条之间的多个电极指;汇流条和电极指之间设有导电件和连接件,连接件与导电件和汇流条相连;电极指的一端与一个导电件连通,另一端与另一个导电件间隔,连接于不同汇流条的电极指相互间隔且交替排列;多个电极指沿汇流条的长度方向相互重叠的孔径区域的边缘设有低声速结构;导电件的厚度大于电极指的厚度。本申请谐振器通过设置加厚导电件、连接件和低声速结构,以形成双活塞模式,能够将能量更好地限制在孔径区域,提高谐振器Q值,并提高横模抑制效果。
  • 接合体及其制造方法-202180023310.3
  • 川崎隆裕;富冈卓哉 - 日本碍子株式会社
  • 2021-11-15 - 2023-10-24 - H03H9/25
  • 本发明的课题在于,针对借助由硅氧化物膜形成的接合层而将压电性材料基板接合在包含硅的支撑基板上得到的接合体,抑制高频失真。接合体5A具有:包含硅的支撑基板1、压电性材料基板4A、以及设置在支撑基板1的表面1a上的接合层2,该接合层2由硅氧化物膜形成。接合层2的折射率为1.468以上1.474以下。
  • 压电性材料基板与支撑基板的接合体及其制造方法-201880052346.2
  • 堀裕二;山寺乔纮;高垣达朗 - 日本碍子株式会社
  • 2018-11-09 - 2023-10-17 - H03H9/25
  • 在将由铌酸锂等材质形成的压电性材料基板与设置有氧化硅层的支撑基板接合时,能够抑制接合体的特性劣化。接合体(8A)具备:支撑基板(3);氧化硅层(7),其设置于支撑基板(3)上;压电性材料基板(1A),其设置于氧化硅层(7)上、并由选自由铌酸锂、钽酸锂和铌酸锂‑钽酸锂组成的组中的材质形成。氧化硅层(7)中的氮浓度的平均值高于氧化硅层(7)与支撑基板(3)的界面(E)处的氮浓度、以及氧化硅层(7)与压电性材料基板(1A)的界面(D)处的氮浓度。
  • 弹性波装置以及具备该弹性波装置的弹性波模块-201880055923.3
  • 川崎幸一郎 - 株式会社村田制作所
  • 2018-07-27 - 2023-10-17 - H03H9/25
  • 弹性波装置(110)具备覆盖部(10)、外周支承层(20)、支承部(25)、压电性基板(30)、以及形成在压电性基板(30)上的多个功能元件(40)。外周支承层(20)在压电性基板(30)上配置在形成了多个功能元件(40)的区域的周围。覆盖部(10)隔着外周支承层(20)与压电性基板(30)对置配置。支承部(25)配置在由压电性基板(30)、外周支承层(20)、以及覆盖部(10)形成的中空空间。支承部(25)的高度比外周支承层(20)的高度低,且比多个功能元件(40)的高度高。在支承部(25)与覆盖部(10)之间或支承部(25)与压电性基板(30)之间形成间隙。
  • 谐振子-202180094132.3
  • 西村俊雄 - 株式会社村田制作所
  • 2021-10-28 - 2023-10-13 - H03H9/25
  • 本发明涉及谐振子。谐振子(10)具备:压电层,具有相互对置的第一面以及第二面;IDT电极(7),设置在压电层(5)的第一面侧;以及高声速基板(1),设置在压电层(5)的第二面侧,压电层(5)由使与结晶Y轴正交的面绕结晶X轴旋转得到的切割角的水晶构成,在相对于压电层(5)的结晶X轴为90°±10°的传播方向(PD)上,高声速基板(1)的声速比压电层(5)的声速快,IDT电极(7)具有梳形电极,该梳形电极具有在传播方向(PD)上排列的多个电极指(7b)。
  • 弹性波装置-202280015611.6
  • 谷口康政;岩本英树;奥永洋梦 - 株式会社村田制作所
  • 2022-03-23 - 2023-10-13 - H03H9/25
  • 本发明提供一种能够有效地抑制杂散的弹性波装置。本发明的弹性波装置(1)具备:支承构件(3),包含支承基板(4);压电体层(6),设置在支承构件(3)上,具有相互对置的第1主面(6a)和第2主面(6b);第1IDT电极(7A),设置在第1主面(6a);以及第2IDT电极(7B),设置在第2主面(6b)。第2IDT电极(7B)埋入于支承构件(3)。在支承构件(3)中的埋入有第2IDT电极(7B)的多个电极指的部分的周围,设置有至少一个空洞部(9)。
  • 弹性波装置-202280015427.1
  • 岩本英树;永友翔 - 株式会社村田制作所
  • 2022-03-23 - 2023-10-10 - H03H9/25
  • 本发明提供一种能够抑制电特性的变动并且能够抑制高阶模的弹性波装置。本发明的弹性波装置具备:支承构件,包含支承基板(3);压电体层(6),设置在支承构件上,具有相互对置的第1主面(6a)和第2主面(6b);第1IDT电极(7A),设置在第1主面(6a),具有多个电极指;以及第2IDT电极(7B),设置在第2主面(6b),具有多个电极指。第2IDT电极(7B)埋入于支承构件。在压电体层(6)的第1主面(6a)设置有电介质膜(29),使得覆盖第1IDT电极(7A)。在将由第1IDT电极(7A)的电极指间距规定的波长设为λ时,电介质膜(29)的厚度为0.15λ以下。
  • 一种声表面波谐振器及滤波器-202310704077.6
  • 宋佳佳;刘晓军;马阳阳;沈君尧 - 天通瑞宏科技有限公司
  • 2023-06-14 - 2023-10-03 - H03H9/25
  • 本发明实施例公开了一种声表面波谐振器及滤波器,该声表面波谐振器包括叉指区和汇流区,所述汇流区位于所述叉指区相对设置的两侧:所述叉指区包括多个第一指和多个第二指,所述第一指与所述第二指均沿第一方向延伸且沿第二方向依次交替设置;所述汇流区包括汇流条,所述汇流条包括第一分部与第二分部,沿所述第一方向,所述第一分部的尺寸为d1,所述第二分部的尺寸为d2;其中,d1>d2。采用上述技术方案,通过设置第一分部在第一方向的尺寸大于第二分部在第一方向的尺寸,能够使声表面波能量集中在第一分部,减小声表面波能量在第二分部的损耗,提高谐振器的Q值,提升谐振器的性能。
  • 一种声表面波谐振器去嵌方法-202310962504.0
  • 柳嵩;莫兴泽;杨涛;董元旦 - 成都频岢微电子有限公司
  • 2023-08-02 - 2023-10-03 - H03H9/25
  • 本发明公开了一种声表面波谐振器去嵌方法,通过在压电衬底上设计与声表面波谐振器具有相同馈电结构的夹具,可以准确提取从片外校准基片上探针尖端到声表面波谐振器根部的误差盒,用于声表面波谐振器的去嵌和COM模型的提取,适用于任意频率、大小、压电衬底和切角的声表面波谐振器,是一种准确且通用的声表面波谐振器去嵌方法。
  • 一种声表面波谐振器及其制备方法、滤波器-202310967069.0
  • 周鸿燕;高安明;路晓明;姜伟 - 浙江星曜半导体有限公司
  • 2023-08-02 - 2023-09-29 - H03H9/25
  • 本发明提供了一种声表面波谐振器及其制备方法、滤波器,无需对声表面波谐振器的设计方案进行调整,只需在声表面波谐振器的压电层的上方或下方设置一调节部件,使该调节部件在压电层上的正投影至少覆盖电极结构在压电层上的正投影,配合调整调节部件的厚度及材料,即可调整声表面波谐振器的谐振频率和机电耦合系数,以此实现对声表面波谐振器的性能进行调整,使其可以满足不同的应用场景。
  • 弹性波装置以及弹性波装置的制造方法-202280011825.6
  • 井上和则 - 株式会社村田制作所
  • 2022-02-04 - 2023-09-29 - H03H9/25
  • 本发明抑制压电层的破损。弹性波装置具备:支承基板,在第1方向上具有厚度;压电层,设置在所述支承基板的所述第1方向上;以及IDT电极,设置在所述压电层的所述第1方向上,具有多个第1电极指和多个第2电极指,所述多个第1电极指在与所述第1方向正交的第2方向上延伸,所述多个第2电极指在与所述第1方向以及所述第2方向正交的第3方向上与所述多个第1电极指中的任一个对置,并在所述第2方向上延伸。在所述支承基板的所述压电层侧,在所述第1方向上俯视时至少一部分与所述IDT电极重叠的位置设置有凹部,在所述凹部的一部分设置有包含与所述支承基板的材料不同的材料的填充物。
  • 弹性波装置、高频前端电路及通信装置-201880081634.0
  • 泽村诚;甲斐诚二;岸本谕卓;岸勇藏 - 株式会社村田制作所
  • 2018-12-10 - 2023-09-29 - H03H9/25
  • 提供一种难以产生因带电引起的静电破坏的弹性波装置。在弹性波装置(1)中,在硅支承基板(2)上直接或间接地层叠有压电体(6),在压电体(6)上设置有功能电极,在硅支承基板(2)上直接或间接地设置有支承层(3),在俯视观察的情况下,支承层(3)设置于功能电极的外侧,在由绝缘物构成的支承层(3)上设置有硅盖层(4),形成有由硅支承基板2、支承层(3)以及硅盖层(4)包围的空间(A),硅支承基板(2)的电阻比硅盖层(4)的电阻高。
  • 弹性波装置、高频前端电路以及通信装置-201780073197.3
  • 高桥秀明;阪口广和;中井康晴 - 株式会社村田制作所
  • 2017-10-20 - 2023-09-26 - H03H9/25
  • 本发明提供一种低损耗、频率温度特性优异、不易产生由高阶模造成的杂散、且能够抑制IMD的劣化的弹性波装置。弹性波装置(1)具备:压电基板(2);IDT电极(3),设置在压电基板(2)上;以及氧化硅膜(6),在压电基板(2)上设置为覆盖IDT电极(3),IDT电极(3)具有第一电极层和层叠在第一电极层上的第二电极层,第一电极层由密度比构成第二电极层的金属以及构成氧化硅膜(6)的氧化硅高的金属或合金构成,压电基板2由LiNbO3构成,在压电基板2的欧拉角(0°±5°,θ,0°±10°)中,θ处于8°以上且32°以下的范围内,氧化硅膜(6)含有氢原子、羟基或硅烷醇基。
  • 芯片封装结构及芯片封装方法、电子设备-202180087717.2
  • 陈建桦;林来存;张珊;刘国文 - 华为技术有限公司
  • 2021-05-17 - 2023-09-22 - H03H9/25
  • 一种芯片封装结构,包括基板、倒装在所述基板上的裸片、位于所述基板和所述裸片之间的至少一个导电凸点和导电的密封圈。裸片朝向所述基板的表面上设置有功能元件。导电凸点电性连接所述裸片和所述基板。密封圈使所述功能元件与所述基板相互间隔,且密封圈环绕功能元件形成封闭的圈状,使基板和所述裸片之间形成一个封闭的空腔。本申请还提供应用该芯片封装结构的电子设备和芯片封装结构的制备方法。本申请的芯片封装结构,在裸片与基板之间本来就需要设置导电凸点实现裸片与基板的电性连接的空间中,设置封闭圈状的密封圈使所述裸片与所述基板之间形成封闭的空腔以避免对所述功能元件造成损伤,简化了所述芯片封装结构。
  • 弹性波装置-202280012658.7
  • 石井优太 - 株式会社村田制作所
  • 2022-02-01 - 2023-09-22 - H03H9/25
  • 提供一种能够抑制频率特性中的纹波的弹性波装置。本发明涉及的弹性波装置(10)是构成具有通带的滤波器装置的弹性波装置,具备:层叠基板(13),具有第1层(13A)以及第2层(13B),并且在第2层(13B)上层叠了第1层(13A);压电层(14),层叠在层叠基板(13)的第1层(13A)上;和激励电极,设置在压电层(14)上。第1层(13A)是电介质层,并且包含于层叠在压电层的中间层。将在第1层(13A)中传播的横波的声速设为v,将包含于上述滤波器装置的通带的频率设为f,将通过v/f而导出的波长设为λ,将压电层(14)的声阻抗设为Zp,将第1层(13A)的声阻抗设为Zd,将第2层(13B)的声阻抗设为Zs,将第1层(13A)的厚度设为td,将自然数之中的任意一个设为n时,压电层(14)、第1层(13A)以及第2层(13B)的声阻抗的大小关系、以及厚度td的组合如表1所示。
  • 一种声表面波谐振器及其制备方法、滤波器-202310844535.6
  • 高安明;路晓明;姜伟 - 浙江星曜半导体有限公司
  • 2023-07-10 - 2023-09-22 - H03H9/25
  • 本发明提供了一种声表面波谐振器及其制备方法、滤波器,将其电极结构改进为在垂直于压电衬底所在平面的方向上多层堆叠设置的多层电极结构,通过多层电极结构带来的质量加载效应降低声速,从而可以实现更小型化的声表面波谐振器设计,即这一新型的声表面波谐振器的电极指条的长度可以设计的更短,数量可以设置的更少,从而满足更小的尺寸要求,并为模组等集成产品的设计提供更大的设计自由度。
  • 声表面波谐振器、声表面波滤波器及双工器-202310540586.X
  • 安虹瑾;安建光;许夏茜;董元旦;杨涛 - 成都频岢微电子有限公司
  • 2023-05-15 - 2023-09-22 - H03H9/25
  • 本发明涉及声表面波谐振器、声表面波滤波器及双工器,其中,声表面波谐振器包括设置于压电基板上的叉指换能器及位于所述叉指换能器的两侧的一对反射栅;反射栅具有多个栅条电极,当所述多个栅条电极共同形成一个区域时,该区域的周期长度大于所述叉指换能器的周期长度;当多个栅条电极形成周期长度互不相同的多个区域时,最靠近所述叉指换能器的第一区域的周期长度被设置成不小于所述叉指换能器的周期长度。本发明的声表面波谐振器,在不增加额外射频器件及不增大电路体积的情况下,可以较为有效的实现反谐振点Q值大小与位置的调整,从而可实现在不影响产品性能的同时较为明显的改善滤波器通带外的抑制陡峭度,提供更好的带外选择性。
  • 声表面波谐振器、滤波器以及双工器-202310540779.5
  • 赵孟娟;董元旦;杨涛;马增红 - 成都频岢微电子有限公司
  • 2023-05-15 - 2023-09-22 - H03H9/25
  • 本发明涉及声表面波谐振器、滤波器以及双工器,其中,提供的一种声表面波谐振器,包括压电基板以及设置于所述压电基板上的叉指换能器,所述叉指换能器的输入端连接有输入信号线,叉指换能器的输出端连接有输出信号线;所述输入信号线和输出信号线形成的走线布置,使得在通信状态下输入信号线和输出信号线之间可形成至少一处耦合。本发明对谐振器的输入信号线和输出信号采用了明显区别于现有技术的走线布置,在不引入额外射频谐振器件的情况下,较为巧妙的实现了谐振器机电耦合系数的调整。基于采用这种特殊设计的谐振器,可较好的与DMS型滤波器的进行匹配,在不增加电路体积的情况下,可有效的提升DMS型接收滤波器高频侧的抑制陡峭度。
  • 具备横向模式抑制的双层电极分区调制式SAW谐振器-202310846434.2
  • 王红亮;张胜阔;张鹏;张峰;曹刚;刘宇龙 - 中北大学
  • 2023-07-11 - 2023-09-19 - H03H9/25
  • 本发明涉及移动通信设备领域,具体为一种具备横向模式抑制的双层电极分区调制式SAW谐振器。所述SAW谐振器包括自下而上的多层衬底以及双层叉指电极;所述SAW谐振器在沿叉指电极走向的方向上从中心到两侧分为波导区域、慢速区域、快速区域、汇流条区域以及自由表面区域;双层叉指电极的下层为Al电极,波导区域、慢速区域和汇流条区域的上层电极为Cu电极,快速区域的上层电极为原子序数大于Cu的金属电极;各区域双层电极的厚度相同,但上下两层电极的厚度取值不同。本发明所述SAW谐振器的电极对数降至数十对,相比于单层电极谐振器的尺寸缩小近3倍,同时实现大范围的横向模式抑制,且Q值相比于无抑制时提高约2倍。
  • 弹性波装置、前端电路以及通信装置-201880040875.0
  • 松本克也;伊田康之 - 株式会社村田制作所
  • 2018-06-20 - 2023-09-19 - H03H9/25
  • 弹性波装置(1)具备:元件基板(10),具有压电性;功能电极(21),设置在元件基板(10)中的第一主面(10a);引出布线(221a、222a),与功能电极(21)电连接,设置为从元件基板(10)中的第一主面(10a)起到达侧面(10c);外部端子(51、52),与引出布线(221a、222a)电连接,设置在元件基板(10)中的第二主面(10b)上;第一树脂部(31),设置为对弹性波装置(1)进行密封;以及第二树脂部(32),至少设置在设置于侧面(10c)的引出布线(221a、222a)与第一树脂部(31)之间。第二树脂部(32)的杨氏模量比第一树脂部(31)小。
  • 弹性波装置、高频前端电路以及通信装置-201880054965.5
  • 岩本英树 - 株式会社村田制作所
  • 2018-08-10 - 2023-09-19 - H03H9/25
  • 本发明提供一种能够容易地调整相对带宽且能够有效地封闭弹性波的能量的弹性波装置。弹性波装置(1)具备:半导体基板(2),具有第一主面(2a)以及第二主面(2c);压电薄膜(5),直接或间接地设置在半导体基板(2)的第一主面(2a)上;以及IDT电极(6),设置在压电薄膜(5)上。构成半导体基板(2)的半导体是传播的体波的声速比在压电薄膜(5)传播的弹性波的声速高的高声速材料。半导体基板(2)由包含第一主面(2a)的第一区域(2b)和包含第二主面(2c)且为第一区域(2c)以外的区域的第二区域(2d)构成。第一区域(2c)的电阻比第二区域(2d)的电阻低。
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top