[发明专利]不加反并联续流二极管的全SiC功率模块在审

专利信息
申请号: 202111638449.7 申请日: 2021-12-29
公开(公告)号: CN114465455A 公开(公告)日: 2022-05-10
发明(设计)人: 卢嵩岳;林少峰;陈永华;江天;张虹朗 申请(专利权)人: 厦门三优光电股份有限公司
主分类号: H02M1/088 分类号: H02M1/088;H01L25/18;H02M7/487
代理公司: 厦门市天富勤知识产权代理事务所(普通合伙) 35244 代理人: 顾克帅
地址: 361000 福建省厦*** 国省代码: 福建;35
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开一种不加反并联续流二极管的全SiC功率模块,4组MOSFET并联组由七片SiC MOSFET裸片并联组成,2组SiC SDB并联组由5片SiC SDB裸片并联;采用上述方案后,本发明模块采用全SiC芯片,损耗降低30%以上,最高工作温度提高25℃以上,同时降低了全SiC模块的材料成本,使得整体成本与增加反并联续流二极管的全SiC功率模块相比降低30%以上。
搜索关键词: 不加反 并联 二极管 sic 功率 模块
【主权项】:
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  • 本发明公开了一种驱动电路及其控制方法。所述驱动电路用于驱动功率开关。在导通功率开关的起始时刻,所述驱动电路全电路运行,保证了功率开关导通的速度。而在导通功率开关的部分时段中,所述驱动电路关闭部分电路,使得用于驱动功率开关的驱动信号的转换速率降低,以此来避免功率开关快速导通产生的开关电压毛刺。本发明公开的驱动电路,既可以较快速率驱动功率开关,又减小了功率开关导通瞬间的电压毛刺。
  • 一种多MOS并联驱动与保护电路-202321027806.0
  • 王昊 - 杭州模储科技有限公司
  • 2023-05-04 - 2023-10-17 - H02M1/088
  • 本申请公开了一种多MOS并联驱动与保护电路,包括:电源模块;熔断保护电路,与所述电源模块的输出端连接;限压保护电路,与所述熔断保护电路的输出端连接;过载保护电路,与所述熔断保护电路的输出端连接;浪涌保护电路,与所述熔断保护电路的输出端连接;驱动模块,其输入端连接所述熔断保护电路、限压保护电路、浪涌保护电路和过载保护电路的输入端连接;控制电路,与所述驱动模块的输出端连接,用于控制电机。本实用新型在设置有熔断保护电路、限压保护电路、限流保护电路、过载保护电路和浪涌保护电路,可在电机过载、故障、雷击时迅速作出反应,来保护电路和电机等元器件;在本实用新型内还设置有驱动模块,采用三组MOS管并联驱动,减小功耗。
  • 一种均压电路-202321368411.7
  • 马超;李海锋;史耀庭;刘士军 - 山东朗进科技股份有限公司
  • 2023-05-30 - 2023-10-17 - H02M1/088
  • 本实用新型提供了一种均压电路,包括串联的第一输入电容、第二输入电容,所述第一输入电容的两端连接第一LLC开关电路,第一LLC开关电路与第一变压器的原边连接,所述第二输入电容的两端连接第二LLC开关电路,第二LLC开关电路与第二变压器的原边连接,所述第一变压器和第二变压器的副边均与整流电路连接,整流电路与输出电容的两端连接;第一LLC开关电路上桥臂和第二LLC开关电路上桥臂同时开通或关断,第一LLC开关电路下桥臂和第二LLC开关电路下桥臂同时开通或关断。本实用新型通过改变开通、关断的频率调整第一LLC开关电路和第二LLC开关电路的增益,从而实现均压。
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