[发明专利]一种改善MWT孔隐的方法有效
| 申请号： | 202111504835.7 | 申请日： | 2021-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN113921659B | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 章明;职森森;吴仕梁;路忠林;张凤鸣;刘锐;陈伟 | 申请（专利权）人： | 南京日托光伏新能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0224;B41M1/12;B41M1/26 |
| 代理公司： | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人： | 徐晓鹭 |
| 地址： | 211800 江苏省南京市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公布了一种改善MWT孔隐的方法，所述方法在印刷铝背场时，用特制的铝背场印刷网板印刷铝背场，所述网板包含网纱层，所述网纱层上涂有乳剂，网纱层上对应负极点处乳剂厚度与其他部分不同。本发明将铝背场网版负极点孔位置膜厚加厚，这样在电池印刷时，印刷出来的铝背场（靠近负极点）边缘厚度增加，降低铝背场和负极点的高度差，使电池在印刷正电极时，孔位置受力大大减小，从而降低MWT负极点孔位置隐裂。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 mwt 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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