[发明专利]存储器单元感测电路中的亚阈值摆动的动态检测和动态调整在审

专利信息
申请号: 202111403577.3 申请日: 2021-11-24
公开(公告)号: CN114678053A 公开(公告)日: 2022-06-28
发明(设计)人: T·A·阿明别沙里;S·R·拉瓦德;M·阿玛尼;N·拉马南 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: G11C16/34 分类号: G11C16/34;G11C16/10;G11C5/14
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 邬少俊
地址: 美国加*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 对于非易失性(NV)存储介质,例如通过编程和编程验证操作写入的NAND介质,系统可以针对页的特定条件确定页单元的SSPC(选择性慢速编程收敛)单元的预期数量。该系统可以在所述页的第一次写入中利用用于SSPC单元检测的第一字线(WL)选择电压执行编程验证,以检测SSPC单元的预期数量。基于所确定的SSPC单元的预期数量,系统可以设置升压电压以在编程验证操作期间捕获预期数量的SSPC单元。系统在对所述页的后续写入中利用较高WL选择电压执行编程验证,以执行用于标准单元的编程验证,并且然后利用从第一次写入确定的升压电压执行SSPC编程验证。
搜索关键词: 存储器 单元 电路 中的 阈值 摆动 动态 检测 调整
【主权项】:
暂无信息
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