[发明专利]一种基于微波辐照快速制备二维纳米材料MXene的方法有效
| 申请号： | 202111291735.0 | 申请日： | 2021-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN114031077B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 陶鹏;朱静;张竞一;邓涛;尚文;宋成轶;付本威 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C01B32/921 | 分类号： | C01B32/921;C01B32/914;C01B32/949;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南昌丰择知识产权代理事务所(普通合伙) 36137 | 代理人： | 吴称生 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于微波辐照快速制备二维纳米材料MXene的方法，以微波辐照作加热条件，快速加热刻蚀剂，对母相原材料进行选择性刻蚀，再经由超声剥离分层制备而成。与现有的技术相比，本发明基于微波辐照加热的制备工艺将现有MXene制备时间从几十个小时缩短至十几分钟，有效解决了目前MXene制备时间长、操作复杂、成本高等问题。传统方法制备时还需要长时间的有机物的插层处理，而该方法在刻蚀过程中，水分子和离子的插层以及剧烈的反应气体释放大大削弱了MXene层间的结合力，短时间的超声处理即可得到少层、高质量的MXene，且适用于大规模制备。该产物有着与传统制备的MXene同样的高导电性，且近红外波段光的光热转换性能有了较大的提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 微波 辐照 快速 制备 二维 纳米 材料 mxene 方法 | ||
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