[发明专利]半导体结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202111217612.2 | 申请日： | 2021-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN115642139A | 公开（公告）日： | 2023-01-24 |
| 发明（设计）人： | 锺光翔 | 申请（专利权）人： | 南茂科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 宋兴;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及其制作方法。半导体结构包括基板、第一保护层、第一导电层、第二保护层以及第二导电层。第一保护层配置于基板的绝缘层上，且暴露出部分接垫的连接部。第一导电层电性连接第一保护层所暴露出的连接部。第二保护层配置于第一导电层上，且具有暴露出部分第一导电层的至少一第一开口以及至少一第二开口。第二导电层配置于第一导电层上，且与第一导电层电性连接。第二导电层的部分配置于第一开口内。第二导电层的另一部分配置于第二开口内。第二保护层未覆盖第二导电层。本发明定义出的焊垫不会受到第二保护层的影响，可使焊垫具有较大的平坦面积，利于后续的接合程序，进而可提升整体半导体结构的结构可靠度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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