[发明专利]一种湿度传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 202111095878.4 | 申请日： | 2021-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN114018991A | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 周娜;毛海央;李俊杰;高建峰;杨涛;李俊峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G01N27/22 | 分类号： | G01N27/22 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 史晶晶 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种湿度传感器及其制备方法。一种湿度传感器，包括：半导体衬底；半导体衬底表面形成有介电层；介电层上表面设有金属电容器结构；金属电容器结构上方覆盖有堆叠的多层湿敏层，其中至少一层湿敏层为金属氧化物，至少一层湿敏层为聚酰亚胺；金属电容器结构引出有电极。通过设置多层材料不同的湿敏层提升湿度灵敏度，解决了现有传感器灵敏度低的问题，同时采用的湿敏层材料都为CMOS器件常用材料，因此，制备工艺可以与CMOS工艺很好地兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 湿度 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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