[发明专利]一种增强亮度的锥形半导体激光器结构在审
| 申请号： | 202111029308.5 | 申请日： | 2021-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN113948962A | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 周坤;杜维川;李弋;何林安;贺钰雯;高松信;唐淳;张亮;胡耀;杨鑫 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院应用电子学研究所 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042;H01S5/22 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 陈法君 |
| 地址： | 621000 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种增强亮度的锥形半导体激光器结构，属于半导体激光器件的技术领域，包括衬底，还包括设于衬底上的脊型波导，所述脊型波导的两侧设有绝缘膜且两侧所述绝缘膜之间的覆盖区域应大于脊型波导在慢轴方向上的光场区域；设于脊型波导两侧的A绝缘半导体材料层，所述A绝缘半导体材料层与该侧所在的绝缘膜之间呈交错衔接；金属电极，所述金属电极覆盖于由各所述A绝缘半导体材料层、各所述绝缘膜以及脊型波导共同形成的表面上，且金属电极与A绝缘半导体材料层之间相连接，以达到提高单个锥形半导体激光芯片的近衍射极限输出功率的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增强 亮度 锥形 半导体激光器 结构 | ||
【主权项】：
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