[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202111021654.9 | 申请日： | 2021-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN114664760A | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 洪以则;周昂升;江宏礼;陈自强;郑兆钦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/373;H01L29/10;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 王素琴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括设置在衬底上方的热传递层、沟道材料层、栅极结构以及源极及漏极端子。沟道材料层具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，且设置在热传递层上，其中第一表面与热传递层接触。栅极结构设置在沟道材料层上方。源极及漏极端子与沟道材料层接触且位于栅极结构的相对的两侧处。通过设于衬底与沟道材料层之间的热传递层的热传导，可以增强器件的散热能力而改善器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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