[发明专利]一种高致密度、高介电常数的五氧化二钽基陶瓷及其制备方法在审
| 申请号： | 202110800254.1 | 申请日： | 2021-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN113480310A | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 刘施峰;文婷婷;邓超;杨帅 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | C04B35/495 | 分类号： | C04B35/495;C04B35/622;C04B35/645 |
| 代理公司： | 重庆双马智翔专利代理事务所(普通合伙) 50241 | 代理人： | 顾晓玲 |
| 地址： | 400030 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明涉及五氧化二钽陶瓷制备技术领域，具体公开了一种高致密度、高介电常数的五氧化二钽基陶瓷及其制备方法。本发明的五氧化二钽基陶瓷包含五氧化二钽基体和二氧化钛掺杂剂，以五氧化二钽陶瓷的总摩尔量为基准，所述掺杂剂含量为0.00‑0.11mol％。通过控制五氧化二钽基陶瓷的烧结参数和掺杂剂的含量，采用放电等离子体烧结，使得五氧化二钽陶瓷烧结温度低、升温速率快、烧结周期短、能耗低，所得的陶瓷致密度高(99.45％)，低温烧结陶瓷的完整性好，基本无开裂现象，且具有良好的介电性能，即高的介电常数(246.70)和极低的介电损耗(0.0024)。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 致密 介电常数 氧化 二钽基 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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