[发明专利]一种自对准沟槽的形成方法有效
| 申请号： | 202110750889.5 | 申请日： | 2018-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN113488430B | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 杨军 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 林丽丽 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种自对准沟槽的形成方法，包括：于半导体衬底上形成离子阻隔层、掩膜层及图形化的光刻胶层；于离子阻隔层上形成掩膜结构，相邻掩膜结构之间具有暴露离子阻隔层的第一开口；对掩膜结构的侧壁进行离子注入，于其两侧形成掺杂侧壁，掺杂侧壁之间具有非掺杂的掩膜凸块，掺杂侧壁对离子阻隔层的刻蚀选择比大于掩膜凸块对离子阻隔层的刻蚀选择比；基于第一开口对所得结构进行第一次刻蚀，于半导体衬底中形成预沟槽；同时去除掩膜凸块以形成第二开口；基于预沟槽和第二开口对上述所得结构进行刻蚀，于半导体衬底中形成第一沟槽和第二沟槽；及去除掺杂侧壁及离子阻隔层，形成自对准沟槽。通过本发明解决了现有方法步骤复杂、成本高的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 对准 沟槽 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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