[发明专利]一种五氧化二钒原位包覆NCM111三元正极材料的制备方法

摘要

本发明公开一种五氧化二钒原位包覆NCM111三元正极材料的制备方法，该方法用V2O5对NCM111材料(V2O5占NCM111材料的质量百分比为1％)进行包覆，从而制备得到颗粒尺寸均匀，颗粒间更为紧密，颗粒更大，形貌结构良好，电化学性能优越的NCM111三元正极材料。包覆后的材料的循环性能，倍率性能，阻抗以及充放电测试中均得到优化，包覆后的材料呈现出极佳的电化学性能，首次放电量达到201.516mAh/g(0.5C倍率下)，容量保持率高，具备最佳的循环稳定性与倍率性能，充分展现出优越的电化学性能。