[发明专利]一种温度响应型仿生锂离子印迹复合膜的制备方法及应用有效
| 申请号： | 202110639912.3 | 申请日： | 2021-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN113351180B | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 李正;何广泽;毕嘉楠;牟航葵;牛静东;张兰河;张海丰 | 申请（专利权）人： | 东北电力大学 |
| 主分类号： | B01J20/26 | 分类号： | B01J20/26;B01J20/28;B01J20/30;B01D67/00;B01D69/12;B01D69/02;B01D15/08;B01D61/00;C02F1/28;C02F1/44;C22B3/24;C22B26/12 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 李红媛 |
| 地址： | 132012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： |
一种温度响应型仿生锂离子印迹复合膜的制备方法及应用，它涉及一种锂离子印迹复合膜的制备方法及应用。本发明的目的是要解决现有仿生锂离子印迹复合膜的制备及应用过程中，酸性解吸试剂对吸附位点造成不可逆的破坏以及产生大量洗脱废水的问题。方法：一、制备PDA@PVDF膜；二、制备PDA@PVDF‑RAFT膜；三、制备PDA@PVDF‑RAFT‑PDEA膜；四、制备Li‑TSIIM。一种温度响应型仿生锂离子印迹复合膜用于吸附Li |
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| 搜索关键词： | 一种 温度 响应 仿生 锂离子 印迹 复合 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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