[发明专利]电磁屏蔽件及超、特高压强电场DR成像板电磁屏蔽结构在审
| 申请号： | 202110639711.3 | 申请日： | 2021-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN113242686A | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 陈瑞斌;杨东;张辉;谭兴华;陈四甫;张明磊;刘礼琴;陈明喜 | 申请（专利权）人： | 河南四达检测技术有限公司 |
| 主分类号： | H05K9/00 | 分类号： | H05K9/00 |
| 代理公司： | 洛阳九创知识产权代理事务所(普通合伙) 41156 | 代理人： | 炊万庭 |
| 地址： | 461000 河南省许昌市市辖区许昌市城*** | 国省代码： | 河南;41 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种电磁屏蔽件及超、特高压强电场DR成像板电磁屏蔽结构，电磁屏蔽结构包括夹设在DR成像板的闪烁体层与平板区域标识板之间的第一电磁屏蔽膜、贴设在DR成像板壳体内壁的第二电磁屏蔽膜以及套设在DR成像板外侧的电磁屏蔽套；电磁屏蔽膜由中间纤维层以及涂覆在中间纤维层上下表面的外屏蔽层构成，电磁屏蔽套为电磁屏蔽橡胶制成的方框结构。本发明的电磁屏蔽结构用于DR成像板的电磁屏蔽保护，电磁屏蔽膜配合电磁屏蔽套形成两重屏蔽防护，能够有效隔绝电磁波会DR成像板内部核心部件的影响，提高超、特高压强电场环境下的检测效果以及使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 电磁 屏蔽 压强 电场 dr 成像 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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