[发明专利]大单晶比例铸锭单晶制备方法在审
| 申请号： | 202110632333.6 | 申请日： | 2021-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN113373515A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 韩科选;薛赓 | 申请（专利权）人： | 苏州步科斯新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B11/00;C30B11/14 |
| 代理公司： | 苏州汇智联科知识产权代理有限公司 32535 | 代理人： | 黄晶晶 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市吴*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了大单晶比例铸锭单晶制备方法，首先制备籽晶并且进行籽晶熔接，籽晶熔接完成后，通过缓慢降温，使得籽晶先进行横向生长，即从籽晶的四个侧面向外进行生长，当晶体横向长满整个坩埚底部达到四面的坩埚壁时，筑基阶段完成后，晶体开始向上的垂直生长，直到晶体长到距顶部还有20～50mm时，保持顶部的正向温度梯度，以确保顶部硅液不会发生先行凝固成壳的情况，保持顶部温度1550℃，实现顶部定向加热，晶体开始生长，整个长晶过程会持续24小时左右；在1356℃退火2小时、并冷却10小时即得大单晶硅锭；本发明能够提高保证在用铸锭法进行单晶生长时，结合特定的坩埚结构，不会产生多晶形核，从源头上消除了铸锭单晶的多晶形核的可能性。 | ||
| 搜索关键词： | 大单晶 比例 铸锭 制备 方法 | ||
【主权项】：
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