[发明专利]氢气传感器及其制备方法有效
申请号: | 202110592855.8 | 申请日: | 2021-05-28 |
公开(公告)号: | CN113533257B | 公开(公告)日: | 2023-03-28 |
发明(设计)人: | 金崇君;佘晓毅;姚乾坤;沈杨 | 申请(专利权)人: | 中山大学 |
主分类号: | G01N21/49 | 分类号: | G01N21/49 |
代理公司: | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 侯武娇 |
地址: | 510300 *** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种氢气传感器及其制备方法,该氢气传感器包括衬底和氢敏薄膜。衬底包括支撑区和悬空区,衬底在悬空区设有凹槽。氢敏薄膜设于衬底的支撑区和悬空区上;在支撑区,氢敏薄膜与衬底贴合;在悬空区,氢敏薄膜与衬底的凹槽底壁之间具有间隙。上述氢气传感器采用具有凹槽的衬底,使得氢敏薄膜在该悬空区为悬空状态,悬空区的氢敏薄膜为近自由状态;相比于受衬底束缚的支撑区的氢敏薄膜,其在吸氢时具有更大的形变,对入射光的反射效果变化迅速,反射率极速下降,从而产生更强的光散射,同时具有更快的响应速度。由于悬空区的氢敏薄膜受衬底的影响很小,在长时间使用后的传感效果不会有很大影响,因此使得该氢气传感器具有更长的使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 氢气 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中山大学,未经中山大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110592855.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。