[发明专利]一种纳米空气沟道晶体管在审
| 申请号： | 202110571179.6 | 申请日： | 2021-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN113345781A | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 王跃林;刘梦;史东方;李铁;梁淞泰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01J29/04 | 分类号： | H01J29/04;H01J29/02;H01J29/52;H01J29/82 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;贾允 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 为了解决现有技术中竖直型纳米空气沟道晶体管的栅极电压高的技术问题，本发明提出了一种纳米空气沟道晶体管，晶体管包括：阳极，阳极设有阳极支点；栅极，栅极的第一侧与阳极支点连接，栅极的第二侧设有栅极支点；阴极，阴极与栅极支点连接，阴极的靠近栅极的一侧设有第一凸起。当本发明中的器件工作时，可在阴极上施加负偏压，在栅极和阳极上施加正偏压。当电压达到一定程度的大小时，阴极表面上发射出的电子通过栅极中的网孔到达阳极，产生电流。通过调节栅极电压和阳极电压可以改变电流的大小。由于栅极距离阴极距离更近，栅极电压对电流大小的影响要远大于阳极电压对电流大小的影响。阴极表面的第一凸起可以促进电子发射，降低工作电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 空气 沟道 晶体管 | ||
【主权项】：
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