[发明专利]一种适用于吸料实验的极限拉晶工艺在审
| 申请号： | 202110557217.2 | 申请日： | 2021-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN115369482A | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 项龙;赵子龙;刘振宇;吴树飞;王林;王建平 | 申请（专利权）人： | 内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/28 | 分类号： | C30B15/28;C30B29/06 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 010070 内蒙古自*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本发明提供一种适用于吸料实验的极限拉晶工艺，包括：拉制单晶过程中，当坩埚内部剩料较少时，调整主加热器的加热功率，同时调整坩埚转速，控制单晶尾部的直径；当满足预设条件时，停止拉晶。本发明的有益效果是降低坩埚的转速以及对主加热器进行一定的温补，避免加热功率低和坩埚转速过快导致坩埚内的硅液结晶，针对不同的剩料重量来调整主加热器的加热功率以及坩埚的转速，能够更加准确的控制单晶的直径，使单位小时内重量变化较现有技术增加，拉到吸料要求剩料所需时间较现有技术减小，减少工时浪费，降低综合成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 实验 极限 工艺 | ||
【主权项】：
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- 本发明涉及一种用于单晶炉的称重系统，包括传送支架、称重支架、滚筒、称重座和称重传感器，所述的传送支架与称重支架左右连接，所述的传送支架和称重支架的底部都安装有升降机构，所述的传送支架内的底部连接有三个或三个以上的滚筒，所述的滚筒的外壁上开设有限位槽，所述的称重座通过称重传感器安装在称重支架上，所述的称重座上开设有V型槽，所述的传送支架的左侧设置有支撑板，所述的支撑板上安装有气缸，所述的气缸与活塞杆相连，所述的活塞杆的右端设置有推送头，所述的活塞杆上安装有固定座，所述的固定座的顶部安装有电动缸，所述的电动缸通过传动螺杆与夹具相连；本设计具有结构简单、易于制造和实用高效的优点。
- 感应加热直拉法生长单晶的称量装置及单晶炉-201811548373.7
- 肖学峰;张学锋;韦海成;张欢 - 北方民族大学
- 2018-12-18 - 2019-02-19 - C30B15/28
- 一种感应加热直拉法生长单晶的称量装置，包括第一称量传感器、第二称量传感器、第一连接件、第二连接件、称量处理器，第一称量传感器、第二称量传感器结构相同，第一连接件、第二连接件均采用刚性材料，第一连接件、第二连接件相对平行位移，以使第一称量传感器、第二称量传感器同步形变，第一称量传感器、第二称量传感器的信号发送至称量处理器进行合成处理，并显示，本技术方案的有益效果在于，采用并联设置的两个称量传感器来实时监测单晶的重量，两个称量传感器的输出端和输入端分别并联后与称量处理器连接，使得感应加热直拉法生长单晶的称量装置的测量精度提高了一倍，而成本仅增加了一个低价称量传感器。
- 一种单晶炉用对中装置及单晶炉-201820948900.2
- 吴春生;姜宏伟;罗汉昌 - 南京晶能半导体科技有限公司
- 2018-06-20 - 2019-02-19 - C30B15/28
- 本实用新型公开了一种单晶炉用对中装置，包括称重调节座、位于称重调节座内的横向调节螺杆、称重连接螺母、锁紧螺母；其中通过横向调节螺杆与称重连接螺母之间通过螺纹连接，将横向调节螺杆的转动转化为称重连接螺母沿横向调节螺杆的直线运动，并且螺纹连接使称重连接螺母的直线运动精度控制较强，当将单晶炉内的称重传感器与连接螺母的连接部连接固定后即适用于调整单晶炉中的调节称重轮和绕丝轮内的卷丝槽的对中。同时，还提供了一种采用该对中装置的单晶炉。
- 一种激光晶体的生长装置及方法-201811420244.X
- 毕海;赵海亮;韩剑锋;李洪峰;杨国利;马晓明;崔艳军 - 北京雷生强式科技有限责任公司
- 2018-11-26 - 2019-01-22 - C30B15/28
- 本发明公开了一种激光晶体的生长装置及方法，属于激光晶体领域。所述生长装置包括：炉体、电机、电子秤、提升机构；电机的输出轴与下入炉体内部的籽晶杆顶端连接；提升机构与电子秤的支座连接；电子秤还包括：第一端与支座连接、第二端与电机的外壳连接的多个称重传感器；多个称重传感器的设置数量为2个或3个；多个称重传感器以并联方式电性连接，相邻两个称重传感器形成有预设夹角。本发明通过在电子秤的支座上设置多个以并联方式电性连接的称重传感器，相邻两个称重传感器形成有预设夹角，使得电子秤不仅在保证分辨率的前提下可提高自身量程，可精确控制激光晶体的生长速率，能改善激光晶体的外形尺寸，进而可提高激光晶体的光学质量。
- 一种硅单晶引晶结构及工艺-201710343971.X
- 肖祥凯;赵向阳 - 上海新昇半导体科技有限公司
- 2017-05-16 - 2018-11-23 - C30B15/28
- 本发明提供一种硅单晶引晶结构及工艺，其中，所述硅单晶引晶结构至少包括：籽晶；与所述籽晶连接的补强颈；与所述补强颈连接的收缩颈；其中，所述籽晶、所述补强颈和所述收缩颈同轴。本发明通过在引晶起始阶段设计引出一段补强颈，对引晶起始区域的晶体强度进行了补强，有效防止晶体生长时由于这一区域晶体强度低而发生断裂，从而降低了引晶结构断裂的概率，降低了引晶失败的风险，节约了生产时间。另外，本发明通过设计引出一段连接补强颈的收缩颈，将其设计为n个相连的第二圆弧段，可以很快排除由热应力引起的位错和由温度梯度引起的位错，从而缩短引晶结构的长度和长晶时间。
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