[发明专利]一种阶梯状环形超疏水槽的制备方法有效
| 申请号： | 202110554036.4 | 申请日： | 2021-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN113184802B | 公开（公告）日： | 2023-10-03 |
| 发明（设计）人： | 李村;赵玉龙;徐瀚洋 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人： | 贺建斌 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种阶梯状环形超疏水槽的制备方法，先通过清洗、匀胶、光刻、刻蚀在单晶硅片表面刻蚀出底部环形沟槽；然后通过重复匀胶、光刻在单晶硅片表面形成宽度大的上部光刻胶环形沟槽，上部光刻胶环形沟槽和底部环形沟槽形成阶梯状环形沟槽；最后通过去胶使上部光刻胶环形沟槽内壁形成粗糙的超疏水表面，得到阶梯状环形超疏水槽；可制备具有较为复杂的阶梯状环形超疏水槽，且水银液滴在阶梯状环形超疏水槽内部具有较大的接触角和较小的滚动角。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阶梯 环形 疏水 制备 方法 | ||
【主权项】：
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