[发明专利]一种宽入射角度的电磁吸收结构有效
| 申请号： | 202110521728.9 | 申请日： | 2021-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN113381200B | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 钟硕敏;张豫 | 申请（专利权）人： | 宁波大学 |
| 主分类号： | H01Q17/00 | 分类号： | H01Q17/00 |
| 代理公司： | 宁波奥圣专利代理有限公司 33226 | 代理人： | 方小惠 |
| 地址： | 315211 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种宽入射角度的电磁吸收结构，包括从上到下层叠的ITO图案层、基板、介质损耗层以及良导体层，基板、介质损耗层以及良导体层分别为矩形板，且基板、介质损耗层以及良导体层从上到下完全重合，ITO图案层由第一ITO结构和第二ITO结构组成，第一ITO结构包括十四个矩形ITO和一个工字型ITO，第二ITO结构位于第一ITO结构的左侧，且两者为左右对称结构；优点是在入射角度为0°至80°范围内时，对TE模式电磁波均具有较好吸收效果，其中在TE模式电磁波的入射角度为0°至70°时，在频点9.5GHz处电磁波吸收率稳定在98％以上，而当入射角度范围为70°至80°时，在9.5GHz处的TE模式电磁波吸收效率稳定在90％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 入射 角度 电磁 吸收 结构 | ||
【主权项】：
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