[发明专利]一种利用全回料生长磷化铟单晶的工艺在审
| 申请号： | 202110519342.4 | 申请日： | 2021-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN113430648A | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 肖雨;李勇 | 申请（专利权）人： | 威科赛乐微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B11/00;C30B31/06 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 黄宗波 |
| 地址： | 404000 重庆市*** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种利用全回料生长磷化铟单晶的工艺，涉及晶体生长技术领域。本发明的一种利用全回料生长磷化铟单晶的工艺，所述工艺是将回料进行筛分、加工分段得到圆饼料、锥形料和边角料，然后根据原料种类选择相应的装料的方式进行装料，装料完成后，真空封管，进行长晶。本发明的一种利用全回料生长磷化铟单晶的工艺，在后续单晶生长工艺不变的情况下，使用全回料长晶，和现有的长晶工艺相比，成晶率有一定提升，同时减少了回料库存，大大的降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 全回料 生长 磷化 铟单晶 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于威科赛乐微电子股份有限公司，未经威科赛乐微电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110519342.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
