[发明专利]基于掺钴的铁钴酸镧纳米薄膜的红外光电探测器及其制法有效
申请号: | 202110497169.2 | 申请日: | 2021-05-08 |
公开(公告)号: | CN113193068B | 公开(公告)日: | 2022-11-22 |
发明(设计)人: | 仲志成;景昭君 | 申请(专利权)人: | 吉林大学 |
主分类号: | H01L31/107 | 分类号: | H01L31/107;H01L31/0224;H01L31/032;H01L31/18;C01G51/00 |
代理公司: | 吉林长春新纪元专利代理有限责任公司 22100 | 代理人: | 王怡敏 |
地址: | 130000 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: |
本发明涉及一种基于掺钴的铁钴酸镧纳米薄膜的红外光电探测器及其制法,属于无机半导体光电探测器技术领域。由叉指电极及涂覆在叉指电极上的钙钛矿纳米薄膜组成,所述的钙钛矿纳米薄膜以LaFeO |
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搜索关键词: | 基于 铁钴酸镧 纳米 薄膜 红外 光电 探测器 及其 制法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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