[发明专利]天线平面近场测试方法有效

专利信息
申请号: 202110483020.9 申请日: 2021-04-30
公开(公告)号: CN113252999B 公开(公告)日: 2023-04-28
发明(设计)人: 杨顺平 申请(专利权)人: 西南电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十研究所)
主分类号: G01R29/10 分类号: G01R29/10
代理公司: 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 代理人: 陈庆
地址: 610036 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开的一种天线平面近场测试方法,具有高速、可全天候工作、无需相位测量。本发明通过下述技术方案实现:分别沿x轴和y轴按照dx和dy的间隔进行M列和N行双极化探头布置,信号源发出信号,平面布置的双极化探头全电子化采样测试被测天线,将采样信号分别送到移相器中,移相器根据指向角度按照傅里叶变换的频移特性将每个双极化探头收到的信号送入移相器进行移相,经过移相器的信号送入H极化合成器和V极化合成器,分别合成H极化信号和V极化信号,将合成后的H极化信号和V极化信号送入接收机,在接收机收到两个极化的信号后消除探头效应,得到被测天线的远场方向图,实现在天线辐射近场区的测试和天线远场特性的模拟。
搜索关键词: 天线 平面 近场 测试 方法
【主权项】:
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