[发明专利]基于1T1R的可实现带符号权重系数的突触阵列电路有效
| 申请号： | 202110481139.2 | 申请日： | 2021-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN113222131B | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 刘畅;宣自豪;李元;康一;吴枫 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | G06N3/063 | 分类号： | G06N3/063;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人： | 郑立明;韩珂 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于1T1R的可实现带符号权重系数的突触阵列电路，单个突触阵列包括正权重实现单元与负权重实现单元，正权重实现单元为标准n*n的1T1R阵列，其中1T1R标准单元包括一个NMOS选通管与一个阻变存储器件RRAM；负权重实现单元由2N个NMOS选通管和2N个电阻构成。在本发明中，通过一列上的正、负权重实现单元的电流在局部被抵消，可以局部有效减小“IR drop”和“Transient errors”；在相同的面积下，1T1R结构可以成倍增大计算密度，减少操作时间，提高计算并行度；根据具体应用场景的不同，可配置为基于2T2R的带符号权重系数突触阵列，实现更高精度的权重系数。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 t1r 实现 符号 权重 系数 突触 阵列 电路 | ||
【主权项】：
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