[发明专利]一种氮硫共掺多孔碳包覆介孔VN超级电容器材料及制法有效
| 申请号： | 202110457286.6 | 申请日： | 2021-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN113130219B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 刘大佐 | 申请（专利权）人： | 刘大佐 |
| 主分类号： | H01G11/86 | 分类号： | H01G11/86;H01G11/24;H01G11/26;H01G11/34;H01G11/30 |
| 代理公司： | 北京恒泰铭睿知识产权代理有限公司 11642 | 代理人： | 张凯 |
| 地址： | 535000 广西壮*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明涉及超级电容器技术领域，一种氮硫共掺多孔碳包覆介孔VN超级电容器材料，特殊的结构高的比表面面积与丰富的孔隙结构，暴露了更多的活性反应位点，增加了VN与电介质的氧化还原反应界面，同时大尺寸的孔洞可以容纳更多的离子，缩短电子与电极内部的扩散距离，提供了丰富的电荷传输通道，氮硫掺杂不仅提高了碳基体的亲水性，掺杂的氮提高了多孔碳的赝电容与导电性能，掺杂的硫也提供了赝电容与更多的活性反应位点，碳基体不仅提供了优良的导电性能，同时包覆的方式有效的抑制了VN在氧化还原过程中发生的不可逆氧化反应，从而增强了电极材料的循环稳定性，从而使电极材料具有更好的倍率性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮硫共掺 多孔 碳包覆介孔 vn 超级 电容 器材 料及 制法 | ||
【主权项】：
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