[发明专利]基于钙钛矿纳米晶的γ射线闪烁转换屏的制备方法有效

专利信息
申请号: 202110447448.8 申请日: 2021-04-25
公开(公告)号: CN113325462B 公开(公告)日: 2023-01-10
发明(设计)人: 张志军;杨珩;李乾利;李慧慧 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: G01T1/202 分类号: G01T1/202;C01G21/00;C30B7/14;C30B28/04;C30B29/12;G21K4/00;B82Y30/00;B82Y40/00;B05D7/24;B05D1/00
代理公司: 重庆市信立达专利代理事务所(普通合伙) 50230 代理人: 任苇
地址: 200444*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种基于钙钛矿纳米晶的全可见光谱、快速γ射线闪烁转换屏及其制备方法,首次解决了钙钛矿纳米晶体不能探测γ射线和传统闪烁体发光波长不可调节的问题。钙钛矿纳米晶为CsPbX3(Cl,Br,I),选用基底为BaF2单晶闪烁体,公开了一种CsPbX3NCs@BaF2闪烁转换屏的新结构。CsPbX3NCs@BaF2闪烁转换屏对γ射线具有非常有效的响应,在137Csγ射线源激发下的光产额为6300光子/MeV,γ射线衰减时间约为11ns,是实现快时间分辨率和全可见光谱γ射线探测的理想闪烁材料。本发明还将作为基底的闪烁体扩展到CeF3、LuAlO3:Ce(LuAP:Ce)、YAlO3:Ce(YAP:Ce)或ZnO:Ga等,它们结合钙钛矿材料,同样可以实现全色发射和高效γ射线探测。
搜索关键词: 基于 钙钛矿 纳米 射线 闪烁 转换 制备 方法
【主权项】:
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