[发明专利]双模式非制冷红外探测器热敏层结构及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202110443599.6 申请日: 2021-04-23
公开(公告)号: CN113380916B 公开(公告)日: 2023-04-28
发明(设计)人: 黄立;陆浩;马占锋;汪超;方明;蔡光艳;王春水;高健飞;黄晟 申请(专利权)人: 武汉高芯科技有限公司
主分类号: H01L31/09 分类号: H01L31/09;H01L31/18;G01J5/20
代理公司: 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 代理人: 秦曼妮
地址: 430205 湖北省武*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供了一种双模式非制冷红外探测器热敏层结构及其制备方法,该热敏层结构包括保护层以及位于保护层上方的热敏薄膜层,所述热敏薄膜层包括分两侧设置的非晶锗硅薄膜和VOx薄膜。本发明可以用于双模式非制冷红外探测器,在需要NETD低的场景,VOx薄膜投入工作,探测器进入VOx基红外探测模式;在需要响应率高的场景,非晶锗硅薄膜投入工作,探测器进入非晶锗硅基红外探测模式;需要高质量静态红外场景拍摄时,VOx薄膜和非晶锗硅薄膜同时投入工作,两种模式共同工作;因此本发明适用于不同的工作场景,应用范围广,成本低。
搜索关键词: 双模 制冷 红外探测器 热敏 结构 及其 制备 方法
【主权项】:
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