[发明专利]双模式非制冷红外探测器热敏层结构及其制备方法有效
申请号: | 202110443599.6 | 申请日: | 2021-04-23 |
公开(公告)号: | CN113380916B | 公开(公告)日: | 2023-04-28 |
发明(设计)人: | 黄立;陆浩;马占锋;汪超;方明;蔡光艳;王春水;高健飞;黄晟 | 申请(专利权)人: | 武汉高芯科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;H01L31/18;G01J5/20 |
代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人: | 秦曼妮 |
地址: | 430205 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明提供了一种双模式非制冷红外探测器热敏层结构及其制备方法,该热敏层结构包括保护层以及位于保护层上方的热敏薄膜层,所述热敏薄膜层包括分两侧设置的非晶锗硅薄膜和VOx薄膜。本发明可以用于双模式非制冷红外探测器,在需要NETD低的场景,VOx薄膜投入工作,探测器进入VOx基红外探测模式;在需要响应率高的场景,非晶锗硅薄膜投入工作,探测器进入非晶锗硅基红外探测模式;需要高质量静态红外场景拍摄时,VOx薄膜和非晶锗硅薄膜同时投入工作,两种模式共同工作;因此本发明适用于不同的工作场景,应用范围广,成本低。 | ||
搜索关键词: | 双模 制冷 红外探测器 热敏 结构 及其 制备 方法 | ||
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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