[发明专利]基于量子限制斯塔克效应的光开关有效
| 申请号： | 202110403020.3 | 申请日： | 2021-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN113130696B | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 张家雨;陈伟敏;项文斌 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L31/109 | 分类号： | H01L31/109;G02F1/35;H01L31/0296;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 任志艳 |
| 地址： | 211189 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种基于量子限制斯塔克效应的光开关，其特征在于，在石英衬底上刻蚀交叉指型电极，交叉电极之间沉积有序取向的II‑VI族半导体纳米片(NPLs)层，其中主要通过液‑液界面自组装，控制油酸/二甘醇(OA/DEG)溶液中油酸的比例，使得纳米片面朝下，两侧边缘分别朝向正负电极，从而增强量子限制斯塔克效应，实现光开关的高对比度。本发明是基于量子限制斯塔克效应的全光开关，设计原理清晰，结构简单，偏振无依赖，高开关比，实现高性能光开关。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 量子 限制 斯塔克效应 开关 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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