[发明专利]压阻式微型电场传感器及其制备方法、电场传感器在审

专利信息
申请号: 202110386099.3 申请日: 2021-04-09
公开(公告)号: CN113092885A 公开(公告)日: 2021-07-09
发明(设计)人: 彭春荣;李嘉晨;郑凤杰;毋正伟;任仁;吕曜 申请(专利权)人: 中国科学院空天信息创新研究院
主分类号: G01R29/12 分类号: G01R29/12;G01R29/08;G01L1/18
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 刘歌
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种压阻式微型电场传感器及其制备方法、电场传感器,其中压阻式微型电场传感器包括:衬底;设置在衬底顶部的锚区;与锚区连接的压阻拾振元件,用于将电场强度转化为电阻值变化;以及悬空设置在衬底上方的振动薄膜,振动薄膜通过支撑梁与压阻拾振元件连接,用于感应电场的变化;振动薄膜在电场力作用下产生位移,从而导致压阻拾振结构的阻值发生改变。本发明公开的压阻式微型电场传感器不需要额外引入驱动电压,具有功耗低、可实现交直流宽频带电场测量的特点,并且压阻检测得到的信号更强,信噪比高,同时体积小、结构简单,有益于实现批量化制造和系统集成。
搜索关键词: 式微 电场 传感器 及其 制备 方法
【主权项】:
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