[发明专利]一种获取低LET值重离子单粒子翻转截面的方法

摘要

本发明公开了一种获取低LET值重离子单粒子翻转截面的方法，包括：获取器件封装信息、灵敏区上方多层金属布线层或衬底信息、器件STI隔离氧化层厚度信息；开展纳米器件低能质子直接电离引发单粒子翻转的辐照实验，提取器件低能质子单粒子翻转峰值截面σpeak，记录相对应的降能片厚度；获取器件发生单粒子翻转的临界电荷，计算器件发生单粒子翻转的LET阈值；基于LET阈值判断引发器件发生单粒子翻转的质子能量区间，计算在低能质子单粒子翻转峰值位置处，器件灵敏区内位于该能量区间的质子数占入射总质子数的百分比ε，并计算相应的平均质子能量以及平均LET值；将低能质子单粒子翻转峰值截面除以质子数百分比ε，计算与平均LET值相对应的有效单粒子翻转截面。