[发明专利]一种基于表面态吸收原理的垂直耦合透明光电探测器有效

专利信息
申请号: 202110367097.X 申请日: 2021-04-06
公开(公告)号: CN113140650B 公开(公告)日: 2023-05-16
发明(设计)人: 胡小龙;刘海毅;王昭;张子彧;邹锴 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: H01L31/101 分类号: H01L31/101;H01L31/02;H01L31/0216;H01L31/0352
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人: 李林娟
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明公开了一种基于表面态吸收原理的垂直耦合透明光电探测器,所述垂直耦合透明光电探测器包括:探测器和信号读出电路;所述探测器由光敏面、氧化层、金电极、及衬底组成,光敏面由半导体材料制成,待测光源为能量低于半导体禁带宽度的光源;待测光源入射到光敏面上时,通过边界态吸收造成光敏区导纳的变化;信号读出电路以器件导纳作为读出信号,待测光几乎无损耗地穿过所述探测器,从而实现对待测光的非侵入式探测。本发明拓宽了光电探测器的应用场景。
搜索关键词: 一种 基于 表面 吸收 原理 垂直 耦合 透明 光电 探测器
【主权项】:
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  • 胡小龙;刘海毅;王昭;张子彧;邹锴 - 天津大学
  • 2021-04-06 - 2023-05-16 - H01L31/101
  • 本发明公开了一种基于表面态吸收原理的垂直耦合透明光电探测器,所述垂直耦合透明光电探测器包括:探测器和信号读出电路;所述探测器由光敏面、氧化层、金电极、及衬底组成,光敏面由半导体材料制成,待测光源为能量低于半导体禁带宽度的光源;待测光源入射到光敏面上时,通过边界态吸收造成光敏区导纳的变化;信号读出电路以器件导纳作为读出信号,待测光几乎无损耗地穿过所述探测器,从而实现对待测光的非侵入式探测。本发明拓宽了光电探测器的应用场景。
  • 基于量子点的红外器件及其制备方法-202310136509.8
  • 刘雁飞;赵鹏飞;唐鑫 - 中芯热成科技(北京)有限责任公司
  • 2023-02-13 - 2023-05-12 - H01L31/101
  • 本公开实施例涉及一种基于量子点的红外器件及其制备方法,包括:基底;反射结构,设置在基底的一侧,用于基于调整各层的厚度以控制反射的波长范围;谐振腔,设置在反射结构背离基底的一侧,用于基于调整其厚度以放大预设波长的光;偏振结构,设置在谐振腔内,用于对光形成偏振;量子点红外探测结构,设置在谐振腔背离反射结构的一侧,用于基于垂直耦合的结构响应红外光并输出对应的电信号。基于此,本公开实施例通过将基底、反射结构、谐振腔、偏振结构以及量子点红外探测结构耦合设置,形成基于量子点的红外器件;在此基础上,通过使用量子点红外探测结构,克服了红外器件中晶格错位和应用成本高等问题。
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