[发明专利]一种基于BPO电极的PZT基多层介电增强薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 202110356882.5 | 申请日： | 2021-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN113241256A | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 王歆;钟煌;卢振亚;陈志武;李心宏 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01G4/005 | 分类号： | H01G4/005;H01G4/33 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 王东东 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于BPO电极的PZT基多层介电增强薄膜及其制备方法，包括衬底，通过磁控溅射法在衬底上制备BPO薄膜电极，采用溶胶凝胶法在BPO上制备多层异质薄膜，热处理过后，再在表面通过磁控溅射制备Au电极。所述多层异质薄膜由PZT和BTO薄膜交替堆叠构成。本发明利用异质薄膜间的静电耦合效应极大的提高了薄膜的介电性能，并且通过氧化物电极BPO改善了电畴的扎钉效应，使得PZT/BTO薄膜的抗疲劳特性大幅地提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 bpo 电极 pzt 基多 层介电 增强 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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