[发明专利]一种(010)晶面优先生长的TiNb2O7材料及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 202110356626.6 申请日: 2021-04-01
公开(公告)号: CN113206240B 公开(公告)日: 2022-09-16
发明(设计)人: 孙永明;詹仁明 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: H01M4/485 分类号: H01M4/485;H01M4/58;H01M10/0525
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 陈灿
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明属于锂离子电池材料技术领域,具体涉及一种(010)晶面优先生长的TiNb2O7材料及其制备方法和应用。本发明制备方法包括如下步骤:(1)将铌源和钛源分散到溶剂中,均匀混合后干燥,除去溶剂后得到前驱体;(2)将前驱体在含氧气氛中进行热处理得到中间体;(3)将中间体按设定的降温速率降温至回火温度,然后自然降温至室温,即可得到(010)晶面优先生长的TiNb2O7材料。本发明制备的TiNb2O7材料沿着(010)晶面优先生长,锂离子迁移距离短,锂离子能够沿着该结晶学方向进行快速迁移,具有高的比容量和优异的倍率性能,而且具有小的比表面积,用作锂离子电池的负极电极时能得到高的电极压实密度以及体积能量密度。
搜索关键词: 一种 010 优先 生长 tinb2o7 材料 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
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