[发明专利]一种硒化锑薄膜太阳电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202110332164.4 申请日: 2021-03-29
公开(公告)号: CN113078239B 公开(公告)日: 2022-08-05
发明(设计)人: 梁广兴;于紫轩;陈名东;陈烁;郑壮豪 申请(专利权)人: 深圳大学
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/072;H01L31/0392;H01L31/0336
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 代理人: 徐凯凯
地址: 518061 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种硒化锑薄膜太阳电池及其制备方法,包括:在沉积于衬底的钼薄膜层上溅射锑金属,得到金属前驱膜;将硒源和金属前驱膜放置于双温区管式炉中,通过硒源对金属前驱膜进行硒化退火,得到沉积于钼薄膜层上的硒化锑薄膜层;在硒化锑薄膜层上沉积硫化镉薄膜层,得到沉积于钼薄膜层上的硫化镉/硒化锑异质结;对硫化镉/硒化锑异质结进行热处理后,在硫化镉薄膜层上沉积透明导电层以及在透明导电层和所述钼薄膜层上沉积背电极,得到硒化锑薄膜太阳电池。本发明通过对硫化镉/硒化锑异质结进行热处理,使得硫化镉中的Cd2+和S2‑扩散至硒化锑进行有效掺杂,降低了电池开路电压亏损,提高了薄膜太阳电池的开路电压。
搜索关键词: 一种 硒化锑 薄膜 太阳电池 及其 制备 方法
【主权项】:
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