[发明专利]一种硒化锑薄膜太阳电池及其制备方法有效
申请号: | 202110332164.4 | 申请日: | 2021-03-29 |
公开(公告)号: | CN113078239B | 公开(公告)日: | 2022-08-05 |
发明(设计)人: | 梁广兴;于紫轩;陈名东;陈烁;郑壮豪 | 申请(专利权)人: | 深圳大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/072;H01L31/0392;H01L31/0336 |
代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 徐凯凯 |
地址: | 518061 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: |
本发明公开了一种硒化锑薄膜太阳电池及其制备方法,包括:在沉积于衬底的钼薄膜层上溅射锑金属,得到金属前驱膜;将硒源和金属前驱膜放置于双温区管式炉中,通过硒源对金属前驱膜进行硒化退火,得到沉积于钼薄膜层上的硒化锑薄膜层;在硒化锑薄膜层上沉积硫化镉薄膜层,得到沉积于钼薄膜层上的硫化镉/硒化锑异质结;对硫化镉/硒化锑异质结进行热处理后,在硫化镉薄膜层上沉积透明导电层以及在透明导电层和所述钼薄膜层上沉积背电极,得到硒化锑薄膜太阳电池。本发明通过对硫化镉/硒化锑异质结进行热处理,使得硫化镉中的Cd |
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搜索关键词: | 一种 硒化锑 薄膜 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的