[发明专利]快速氧化spiro-OMeTAD的方法及太阳能电池有效
| 申请号： | 202110270286.5 | 申请日： | 2021-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN113066930B | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 罗景山;王涣涣 | 申请（专利权）人： | 南开大学 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300071*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种湿度辅助快速高效氧化spiro‑OMeTAD的方法以及使用所述方法制备的钙钛矿太阳能电池。包括以下步骤：提供旋涂有spiro‑OMeTAD的光电器件；将所述器件置于空气手套箱中氧化0.5～1.5h，氧化的湿度范围为18～35％，氧化的温度范围为15～30℃。本发明所述的spiro‑OMeTAD氧化方法，能够有效的加速spiro‑OMeTAD氧化，减少薄膜针孔，增大薄膜的迁移率，从而让spiro‑OMeTAD在极短时间内即可充分氧化并起到最优空穴传输性能。 | ||
| 搜索关键词： | 快速 氧化 spiro ometad 方法 太阳能电池 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
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