[发明专利]一种开关场区域可调的巨磁电阻磁双极性开关传感器有效
| 申请号： | 202110226043.1 | 申请日： | 2021-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN113098473B | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 唐晓莉;刘梦丽;苏桦;姜杰 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学;上海麦歌恩微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/95 | 分类号： | H03K17/95 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 闫树平 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于电子材料与元器件技术领域，具体为一种开关场区域可调的巨磁电阻磁双极性开关传感器，包括基片、上下电极、传感单元薄膜和导电薄膜。本发明利用不对称残余应变材料的残余应变有无可通过脉冲电压极性调控的特点，通过应变对基片上传感单元薄膜的铁磁层1产生磁弹耦合能有无来实现巨磁电阻双极性开关传感器中开关场的调控。由于该调控可在一固定传感单元中开关场调整，并且可配合残余应变引入时间，实现不对称开关场形式的巨磁电阻双极性开关传感器，因而可以提高该类产品的适应度及扩展应用场景，满足一些特殊的应用需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 开关 区域 可调 磁电 阻磁双 极性 传感器 | ||
【主权项】：
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