[发明专利]微米棒状铌钨氧化物及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 202110210241.9 申请日: 2021-02-25
公开(公告)号: CN114956182B 公开(公告)日: 2023-03-21
发明(设计)人: 曹元成;郭亚晴;张炜鑫;汤舜;韩奇高 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: H01M4/48 分类号: H01M4/48;C01G41/02;H01M10/0525
代理公司: 武汉卓越志诚知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42266 代理人: 胡婷婷
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供了一种微米棒状铌钨氧化物及其制备方法和应用。该微米棒状铌钨氧化物具有一维离子通道,可供电解质中的离子定向扩散。本发明通过将NbC在800~1100℃的空气氛围中高温煅烧,然后与WO3按预设摩尔比混合球磨,再以预设升温速率在空气氛围中升温至1100~1300℃,进行高温煅烧,取出冷却即得到所述微米棒状铌钨氧化物。如此得到的铌钨氧化物在透射电镜下观察到较为规整排列的通道,这个结构可以限制锂离子在材料中的异向传输,形成了一个一维离子通道。锂离子在材料一维离子通道中的快速扩散有助于提高材料的大倍率特性,从而有利于组装高功率储能器件。
搜索关键词: 微米 棒状铌钨 氧化物 及其 制备 方法 应用
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