[发明专利]一种基于全介质toroidal模的Fano共振传感器在审

专利信息
申请号: 202110201309.7 申请日: 2021-02-23
公开(公告)号: CN112816438A 公开(公告)日: 2021-05-18
发明(设计)人: 傅涛;周子权;王道凡;朱润泽;王紫嫣;陈宇;白永康 申请(专利权)人: 桂林电子科技大学
主分类号: G01N21/45 分类号: G01N21/45;G01N21/59
代理公司: 桂林文必达专利代理事务所(特殊普通合伙) 45134 代理人: 白洪
地址: 541004 广西*** 国省代码: 广西;45
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摘要: 发明公开了一种基于全介质toroidal模的Fano共振传感器,通过若干组所述磁环偶极子单元周期阵列,同时由于所述磁环偶极子单元结构是全介质的,没有焦耳损耗,解决了非辐射损耗问题,即焦耳损耗问题;而磁偶极子相互共振耦合形成磁环形偶极子共振模式,此时的电磁场被局域在环形空间内,因而辐射损耗较小,解决了辐射损耗问题,产生了高品质因子Fano共振,磁环形偶极子的形成,有利于电磁场的增强,增强了光与物质的相互作用,对周围媒介环境敏感,进一步增强传感器的灵敏度。
搜索关键词: 一种 基于 介质 toroidal fano 共振 传感器
【主权项】:
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