[发明专利]一种半导体器件制备方法有效
| 申请号： | 202110121301.X | 申请日： | 2021-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN112768529B | 公开（公告）日： | 2022-09-23 |
| 发明（设计）人： | 王嘉鸿;童宇诚;陶丹丹 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;陈敏 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件制备方法，通过先在与目标刻蚀层中预设间隔区域对应的位置处形成第一绝缘间隔物，再依次沉积第二绝缘介质层和第三绝缘介质层，其中，第三绝缘介质层包括在第一方向上交替排列的第一材料区和第二材料区，第一方向为平行于衬底的方向；刻蚀去除第一材料区、第一绝缘间隔物和部分第二绝缘介质层，以第二材料区以及第二材料区下方的第二绝缘介质层形成掩模结构，基于该掩模结构对目标刻蚀层进行刻蚀，从而在目标刻蚀层中形成间隔排列的多鳍形阵列。该方法避免了形成间隔排列的鳍形结构后再基于光刻工艺定义预设间隔区域、去除预设间隔区域中的伪鳍形结构的步骤，有效提高了半导体器件的制备效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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