[发明专利]氧化铝的去除方法及三维存储器的制备方法有效
| 申请号： | 202110087262.6 | 申请日： | 2021-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN112786447B | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 杜明利;李君;李华东;徐融 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L27/11551;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 邵磊;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： |
本发明实施例公开了一种氧化铝的去除方法，所述方法包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括暴露的氧化铝；采用湿法腐蚀方法去除所述氧化铝；所述湿法腐蚀方法采用的腐蚀液包括H |
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| 搜索关键词： | 氧化铝 去除 方法 三维 存储器 制备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
