[发明专利]一种用于提升MOCVD喷淋均匀性的光学检测装置有效
| 申请号： | 202110073652.8 | 申请日： | 2021-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN112921307B | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 方海生;陈浩;高仙仙;聂圻春 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | C23C16/52 | 分类号： | C23C16/52;G01N21/45;G01N21/01 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 孔娜;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于光学检测相关技术领域，并公开了一种用于提升MOCVD喷淋均匀性的光学检测装置。该装置包括生长反应单元和光学检测反馈调控单元，生长反应单元包括反应腔体、喷淋头、基座和加热器，气体从进气口进入喷淋头后，从喷淋头中喷出，在被加热后的基板上发生分解反应；光学检测反馈控制单元用于检测从喷淋头中喷出的气体的密度分布场，包括光源、相机和抛物面镜，检测中，打开光源，气体从喷淋头喷出后，气体分布较多的区域的光线被喷出的气体折射无法原路返回，在相机成像中形成较暗的区域，其它光线原路返回，在相机成像中形成较亮的区域，以此获得喷出气体的密度分布。通过本发明，解决喷淋不均匀、无法实时调控等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 提升 mocvd 喷淋 均匀 光学 检测 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学，未经华中科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110073652.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 使用机器学习控制沉积膜的浓度轮廓-202280018544.3
- 安东·V·巴里什尼科夫;阿尤特·阿尤丁;黄祖滨;程睿;杨毅;迪瓦卡尔·科德拉雅;文卡塔纳拉亚纳•尚卡拉穆尔提;克里希纳·尼塔拉;卡希克·贾纳基拉曼 - 应用材料公司
- 2022-02-18 - 2023-10-20 - C23C16/52
- 提供了用于使用机器学习控制沉积膜的浓度轮廓的方法及系统。将与在用于基板的沉积工艺期间待在基板表面上沉积的膜的目标浓度轮廓相关联的数据作为输入提供到经训练的机器学习模型。获得经训练的机器学习模型的一个或多个输出。由一个或多个输出决定识别沉积工艺设置的一个或多个集合的工艺配方数据。针对沉积工艺设置的每个集合，亦决定了沉积工艺设置的相应集合对应于待在基板上沉积的膜的目标浓度轮廓的信赖水平的指示。回应于识别具有满足信赖准则水平的信赖水平的沉积工艺设置的相应集合，根据沉积工艺设置的相应集合执行沉积工艺的一个或多个操作。
- 沉积工具及接地带-202320940222.6
- 彭宣颖;李锦思;施江宪;吴志昌;董哲惟 - 台湾积体电路制造股份有限公司
- 2023-04-24 - 2023-10-20 - C23C16/52
- 本文所描述的一些实施例提供一种沉积工具，包括一接地构件，在基板平台的边缘环与抽吸盘构件之间。接地构件包括一接地带，具有变形区域。变形区域包括一凹陷边缘以减少沉积工具的操作期间接地带摩擦抽吸盘构件表面的可能性。接地带的材料性质可减少重复循环期间接地带的塑性变形。以此方式，可减少从抽吸盘构件的表面脱落的微粒量，以提升利用沉积工具制造半导体产物的产率。进一步地，可减少维修接地构件的频率，以减少沉积工具的停机时间且增加利用沉积工具制造半导体产物的生产量。
- 一种镀膜工艺的温控系统-202311104023.2
- 王飞 - 宿州顺风光电科技有限公司;无锡尚德太阳能电力有限公司
- 2023-08-30 - 2023-10-17 - C23C16/52
- 本发明涉及一种镀膜工艺的温控系统。本发明包括炉管，其外缠绕有外层加热丝，其内设置有与其平行设置且缠绕有内层加热丝的耐高温固定杆；温控装置，包括第一温控模块、第二温控模块、触发板模块、变压器模块、可控硅模块，所述外层加热丝和所述内层加热丝分别通过热电偶连接第一温控模块和第二温控模块，所述第一温控模块、第二温控模块与所述触发板模块相连，所述触发板模块分别连接所述变压器模块和所述可控硅模块，所述变压器模块连接所述电源模块；石墨舟，具有供所述耐高温固定杆穿过的空腔。通过对石墨舟进行内外层加热，可以有效均衡整个石墨舟的温度分布，提高镀膜均匀性和质量。
- 沉积状态监视方法和基片处理装置-202310347579.8
- 美浓谷惠太 - 东京毅力科创株式会社
- 2023-04-03 - 2023-10-17 - C23C16/52
- 本发明提供能够早期且容易地推测泵的沉积状态的沉积状态监视方法和基片处理装置。沉积状态监视方法监视沉积在与处理基片的基片处理装置的处理容器连接的泵的沉积物的沉积状态。沉积状态监视方法包括：获取使泵的旋转构造体旋转的电机的电流值的步骤；通过对处理容器供给处理气体，在电流值的时间变化中使衰减波形产生的步骤；获取构成衰减波形的多个波峰部的顶峰电流值和与多个波峰部相同数量的波谷部的谷底电流值的步骤；通过取获取到的多个波峰部的顶峰电流值与多个波谷部的谷底电流值的平均，来计算衰减波形收敛的推测收敛电流值的步骤；以及基于推测收敛电流值，来推测沉积物的沉积状态的步骤。
- 用于CVD设备的控温系统和半导体工艺设备-202310920973.6
- 李钦波;蒲泽鼐 - 拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司
- 2023-07-25 - 2023-10-13 - C23C16/52
- 本发明的实施例提供了一种用于CVD设备的控温系统和半导体工艺设备，涉及半导体技术领域。用于CVD设备的控温系统包括供水设备、供水管路、回水管路和流量控制阀。供水设备具有一出口和进口。供水管路的一端与出口连接，另一端与换热流道的进液口连接，以输送换热介质。回水管路的一端与进口连接，另一端与换热流道的出液口连接，以将换热介质回收至供水设备。流量控制阀设置于回水管路，以调整流量。其能够实现稳定的控温。
- 一种特种气体安全控制方法和半导体工艺设备-202210905961.1
- 刘畅;荣延栋;胡云龙;刘旭 - 北京北方华创微电子装备有限公司
- 2022-07-29 - 2023-10-13 - C23C16/52
- 本发明实施例提供了一种特种气体安全控制方法和一种半导体工艺设备，该方法包括：获取腔室的压力值；在压力值大于预设压力阈值的情况下，当需打开第二气体阀门和第三气体阀门时，控制第一电路断开，第二电路和第三电路接通，使第一气体阀门关闭、第二气体阀门和第三气体阀门打开；当需打开第一气体阀门时，控制第一电路闭合，第二电路和第三电路断开，使第一气体阀门打开、第二气体阀门和第三气体阀门关闭。通过将阀门互锁加入电路设计中，使第一气体分别与第二气体、第三气体阀门不会同时开启，从而避免了软件控制失效的风险，防止特种气体之间发生化学反应生成副产物，造成硬件的损坏和人员的伤害，杜绝安全隐患，保护系统和人员安全。
- 一种制备高质量超薄薄膜的引发式化学气相沉积设备-202310821508.7
- 刘通 - 埃纳膜（北京）科技有限公司
- 2023-07-05 - 2023-10-10 - C23C16/52
- 本发明公开了一种制备高质量超薄薄膜的引发式化学气相沉积设备，涉及高分子薄膜材料制备技术领域，包括反应腔、供参与反应气体进入反应腔内的进气系统、控制反应压力的压力控制系统、实时监控薄膜沉积厚度的激光干涉系统，反应腔由上盖板、腔体本体和下底座三部分组成，均带有加热装置，且可分别拆卸维护；下底座上配置有可水平旋转的样品台，样品台配置水冷和电热温控系统；进气系统由多条单体气源管阀系统和引发剂气源管阀系统组成；本发明能够实时监控薄膜厚度，有效控制薄膜质量和均匀性，能够最大限度的热解引发剂，并保证单体与引发剂的充分混合，使单体反应更完全，避免试剂浪费和成本的增加。
- 质量流量计的流量控制方法及计算机可读存储介质-202310821236.0
- 牛沛泽;李慧 - 拓荆科技(上海)有限公司
- 2023-07-05 - 2023-10-03 - C23C16/52
- 本发明提供了质量流量计的流量控制方法及计算机可读存储介质。该质量流量计的流量控制方法包括：设置质量流量计的初始流量为第一流量；在将晶圆从传输腔室传输到第一反应腔室的过程中，将所述质量流量计的流量由所述第一流量提升到第二流量；传片完成后，关闭所述传输腔室与所述第一反应腔室之间的真空阀门；将所述质量流量计的流量由所述第二流量降低到所述第一流量；所述传输腔室接收到打开所述传输腔室与第二反应腔室之间的真空阀门的指令后，判断传输腔室的压力是否符合传片压力范围；如果符合传片压力范围，则打开所述传输腔室与所述第二反应腔室之间的真空阀门。
- 一种腔室预热方法-202310793010.4
- 请求不公布姓名 - 广东利元亨智能装备股份有限公司
- 2023-06-30 - 2023-10-03 - C23C16/52
- 本申请涉及加热工艺技术领域，特别涉及一种腔室预热方法。通过对腔室进行加热，并对腔室实际温度进行实时监测，缩短预热时间，腔室实际温度升高一定数值后再开启外冷水路和主冷水路，缩短预热时间的同时减少能耗。通过延迟开启外冷水路和主冷水路，可有效缩短腔室的预热时间，同时减少腔室的实际加热温度与所需的工艺温度之间的偏差，提高腔室预热的温度准确性，避免多次试产，并且避免冷却和加热同步进行造成能源浪费的问题。
- 冷却循环装置及半导体外延设备-202321364188.9
- 郑锦;姚铖;张帅 - 南京原磊纳米材料有限公司
- 2023-05-31 - 2023-10-03 - C23C16/52
- 本申请实施例提供了一种冷却循环装置及半导体外延设备，包括至少一组循环组件，循环组件包括热交换组件和至少一个气体驱动组件。半导体外延设备的加热器的放置腔、热交换组件以及气体驱动组件依次连通并形成闭合回路，气体驱动组件驱动放置腔中的高温气体经过热交换组件进行降温，降温得到低温气体，低温气体回流至放置腔中以对其内部的加热器冷却降温。由于高温气体可在闭合回路内降温并循环，因此在不将高温气体排至加工车间的前提下实现了对加热器的冷却降温。即，在不影响加工车间环境条件的前提下，完成了对加热器的冷却降温工作，延长其使用寿命。
- 一种建立生长室内气体平衡流场的方法-202010959614.8
- 王肖珩;肖志河;周翔;乔元哲;陈大鹏 - 北京环境特性研究所;中国长峰机电技术研究设计院;北京遥感设备研究所
- 2020-09-14 - 2023-09-29 - C23C16/52
- 本发明涉及一种建立生长室内气体平衡流场的方法，其特征在于，所述方法为：通过控制生长室容积、生长室温度、载气流速和源化合物浓度而建立生长室内气体平衡流场。本发明从生长室容积、生长室温度、载气流速和源化合物浓度这四个方面入手来建立生长室内气体平衡流场，从而确定最适合薄膜均匀稳定生长的平衡流场条件，优化工艺参数制备出透过性高、纯度高、致密性好的薄膜。
- 一种管式炉控温设备-202222240856.9
- 张恒;张伟洋;李会滨 - 滁州捷泰新能源科技有限公司
- 2022-08-24 - 2023-09-26 - C23C16/52
- 本申请提供了一种管式炉控温设备，涉及机械领域，解决目前炉口区域温度下降，导致炉内硅电池片气相沉积均匀性较差的问题。所述控温设备包括管式炉和加热装置；所述管式炉具有炉口；其中，所述加热装置设置在所述管式炉靠近所述炉口的一端。
- 一种薄膜沉积方法和半导体工艺设备-202310737419.4
- 张士勇;吕秋雨;李俊红;孙薇;赵茹;邓浩;孟令玉 - 拓荆科技(上海)有限公司
- 2023-06-20 - 2023-09-19 - C23C16/52
- 本发明公开了一种薄膜沉积方法及半导体工艺设备。该薄膜沉积方法包括以下步骤：获取待加工晶圆表面沟槽的高宽比，其中，所述待加工晶圆放置于晶圆托盘上，所述晶圆托盘上方设有喷淋板以喷淋工艺气体到所述待加工晶圆表面；根据所述沟槽的高宽比，确定所述晶圆托盘到所述喷淋板之间的间隙高度；以及在所述间隙高度下，以其对应的沉积速率在所述待加工晶圆表面进行薄膜沉积。通过执行这些步骤，该薄膜沉积方法能够对晶圆表面多种高宽比的沟槽，进行相应的不同间隙高度的薄膜沉积，从而提升生成薄膜的均一性，并且还能够对多种高宽比的沟槽进行不同沉积速率的沉积填充，从而避免沉积填充不充分而导致沟槽中产生气泡或孔洞。
- 化学气相沉积设备的抽气控制方法、装置、介质及设备-202310761233.2
- 厉冰峰 - 盛吉盛半导体技术（上海）有限公司
- 2023-06-26 - 2023-09-19 - C23C16/52
- 本发明公开了一种化学气相沉积设备的抽气控制方法、装置、介质及设备，该化学气相沉积设备的抽气控制方法包括：当化学气相沉积工艺进入抽气阶段时，控制化学气相沉积设备的节流阀开启预设开度；控制抽气泵抽取化学气相沉积设备的反应腔室内的气体；每达到预设条件时，控制增大节流阀的开度，直至节流阀完全开启。本发明解决了气相沉积工艺在抽气阶段易在晶圆表面附着颗粒物，导致晶圆缺陷，降低晶圆良率的问题。
- 一种薄膜测厚与修整设备、镀膜系统及薄膜制备方法-202210102121.1
- 李国强 - 河源市艾佛光通科技有限公司
- 2022-01-27 - 2023-09-19 - C23C16/52
- 本发明提供一种薄膜测厚与修整设备、PVD镀膜系统及薄膜制备方法。所述薄膜测厚与修整设备，包括载片装置、测厚装置、修膜装置、传送装置和PLC控制装置；载片装置包括具有载片腔的第一壳体，载片腔中放置用于容置晶片的载片器；测厚装置包括X射线荧光测量装置和激光共焦显微测量装置；修膜装置包括具有修膜腔的第四壳体；修膜腔中分别设有修膜载片台以及用于对晶片表面进行清理和修平处理的聚焦离子束装置；传送装置包括具有传送腔的第五壳体；传送腔中设有用于取放晶片的机械手；PLC控制装置分别与前述装置连接。采用本发明的薄膜测厚与修整设备、镀膜系统及薄膜制备方法，可以获得薄膜厚度均匀性≤0.1％的4‑8英寸晶片。
- 一种高温热炉-202321135109.7
- 徐少洪;万大明;裴志伟;张武 - 拉普拉斯新能源科技股份有限公司
- 2023-05-11 - 2023-09-19 - C23C16/52
- 本实用新型涉及半导体设备技术领域，公开了一种高温热炉，炉管、法兰组件、炉尾板、炉门、密封组件、检测调节组件和加热组件，所述炉管外套设所述加热组件，所述炉门及所述炉尾板通过所述法兰组件及所述密封组件与所述炉管密封连接；所述法兰组件上开设有冷却槽组件，所述冷却槽组件与管路系统连通用于通过冷却液流动降低密封组件的温度；所述检测调节组件与所述管路系统连接，用于检测和调节管路系统温度。本实用新型解决法兰组件的冷却槽冷却温度无法精准检测控制，难以保证密封圈在稳定的温区工作，进而密封圈容易失效导致漏气的问题。
- 屏蔽结构、喷淋头以及等离子体设备-202310776601.0
- 请求不公布姓名 - 深圳市原速光电科技有限公司
- 2023-06-27 - 2023-09-12 - C23C16/52
- 本发明公开了一种屏蔽结构、喷淋头以及等离子体设备。该屏蔽结构，对喷淋电极进行屏蔽，包括：壳部，壳部形成有用于容纳喷淋电极的容纳腔，容纳腔的底部开设有避让槽，在喷淋电极被容纳在容纳腔的状态下，喷淋电极的喷淋孔从避让槽露出；盖部，盖住容纳腔，和壳部一起包裹喷淋电极并对喷淋电极进行屏蔽；壳部和盖部当中，其中一个具有朝向另一个突出的突出区域，另外一个具有沿突出区域突出的方向凹入的凹入区域，在盖部和壳部相互盖合的状态下，盖部盖住容纳腔，且突出区域和凹入区域以环绕喷淋电极的外周的方式相互对接。本发明的屏蔽结构能够抑制在其间隙中产生打火现象。
- 一种化学气相沉积的气体流量控制箱-202321190917.3
- 邹韬;朱洪磊 - 天津华创芯微科技发展有限公司
- 2023-05-17 - 2023-09-12 - C23C16/52
- 本实用新型涉及气体流量控制设备领域，公开了一种化学气相沉积的气体流量控制箱，包括箱体，所述箱体的内部设有用于化学气相沉积中气体速率控制的速率控制机构；所述速率控制机构包括两个转动杆、两个翻转板、主动皮带轮以及从动皮带轮，两个所述转动杆分别转动连接在箱体的内部两侧，所述翻转板固定连接在转动杆的外壁，所述主动皮带轮的外壁一侧固定连接在上侧所述转动杆的一端，所述从动皮带轮的外壁一侧固定连接在下侧所述转动杆的一端。本实用新型中，通过箱体内部设置的速率控制机构，整体的结构简单，且能够有效对气流速率的控制，因而避免了影响沉积质量。
- 一种半导体工艺设备的源瓶补液方法和半导体工艺设备-202210689525.5
- 侯欢 - 北京北方华创微电子装备有限公司
- 2022-06-17 - 2023-09-08 - C23C16/52
- 本发明实施例提供了一种半导体工艺设备的源瓶补液方法和一种半导体工艺设备，所述半导体工艺设备包括工艺腔室、源瓶，所述方法包括：获取针对所述工艺腔室的补液配置参数的参数信息；在将所述工艺腔室中完成工艺的当前晶片传出，和/或在下一片晶片传入所述工艺腔室，和/或在所述下一片晶片进行工艺准备的过程中，根据所述补液配置参数的参数信息对所述源瓶进行补液。通过自动触发源瓶补液，并利用腔室前后工艺的时间间隙，在工艺腔室传片和/或后工艺准备过程中完成源瓶补液，提高产能效率；可以灵活设置配置参数，通过设置合适的参数信息，能以较高的频次进行快速少量的补液，降低源瓶内的温度波动，保障工艺的稳定。
- 化学气相沉积方法-202110257089.X
- 徐兴国;张凌越;姜波 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 2021-03-09 - 2023-09-01 - C23C16/52
- 本发明提供一种化学气相沉积方法，首先根据第一化学气相沉积工艺的工艺时间、第二膜层的厚度、第一累积厚度、第二累积厚度、第二膜层的目标厚度，预设第二膜层所需的工艺时间；然后根据预设的第二膜层所需的工艺时间执行第二化学气相沉积工艺，以在所述第二半导体衬底上形成所述目标厚度的第二膜层，如此能够根据反应腔内壁上的副产物的厚度实时调整第二膜层所需的工艺时间，从而能够准确的控制第二膜层所需的工艺时间，进而在所述第二半导体衬底上形成所述目标厚度的第二膜层，从而解决膜层的实际厚度与膜层的目标厚度之间存在较大的差距的问题。
- 工艺腔室控压设备标定方法、标定装置及半导体工艺设备-202310644216.0
- 杜传正;郑文宁;邹义涛 - 北京七星华创流量计有限公司
- 2023-06-01 - 2023-08-29 - C23C16/52
- 本发明提供一种工艺腔室控压设备标定方法、标定装置及半导体工艺设备，用于标定基准位置，标定方法包括：在所述控压设备断电后重新上电时，获取所述阀门在上电前的停机开度数据；根据所述停机开度数据，确定所述阀门的当前开度；计算所述阀门的开度由所述当前开度达到预设开度对应的所述驱动电机的运转参数的目标调节值；控制所述驱动电机的运转参数达到所述目标调节值，使得所述阀板移动至预设开度对应的基准位置。采用本发明的标定方法来标定基准位置时，无需设置光电开关，从根本上解决了因光电开关损坏而导致无法标定的问题，该标定方法的可靠性高。
- 应用于半导体设备陶瓷圆顶顶部的温度控制组件及方法-202310531144.9
- 苏宇;李伟阳;张建 - 盛吉盛（宁波）半导体科技有限公司
- 2023-05-11 - 2023-08-22 - C23C16/52
- 本发明涉及一种应用于半导体设备陶瓷圆顶顶部的温度控制组件及方法，属于半导体设备技术领域，温度控制组件包括自上而下依次相贴合地层叠设置的冷却板、第一石墨片、电加热板、第二石墨片、绝缘导热板、射频线圈和导热棉；导热棉的下表面与陶瓷圆顶的顶部相贴合；冷却板内部设置有冷却水管道。本方案实现了快速、均匀的温度控制，保证了半导体设备陶瓷圆顶温度控制高效、稳定，从而有效提升半导体表面沉积等工艺的效率和质量，并且体积较小，节省空间，便于使用。
- 纳米薄膜制备用气相沉积设备-202223505811.6
- 王海侠;刘宏 - 欧钛鑫光电科技（苏州）有限公司
- 2022-12-27 - 2023-08-18 - C23C16/52
- 本实用新型公开了纳米薄膜制备用气相沉积设备，包括上腔体，上腔体顶部连接有连接软管，连接软管远离上腔体的一端连接有输气管，输气管下端连接有反应气源瓶，输气管上连接有手动阀，反应气源瓶由卡爪进行固定，卡爪安装连接在上腔体右侧外围表面，上腔体左侧表面设有连接管道A，连接管道A与上腔体的空腔B联通，上腔体底部左右两端均开设有螺纹孔A，螺纹孔A内安装有固定螺栓，上腔体，内部固定安装有发热线圈，上腔体下方设有密封圈，密封圈左右两端均开设有螺纹孔B，密封圈下方设有下腔体；本纳米薄膜制备用气相沉积设备具有可以进行根据需要来调节高度，可通过外部降温减少降温时间，提高工作效率的优点。
- 用于真空镀膜或刻蚀设备真空环境内的温度监测补偿系统-202310344684.6
- 张洪国;汤晨宇;刘磊 - 江苏鹏举半导体设备技术有限公司
- 2023-04-03 - 2023-08-04 - C23C16/52
- 本发明公开了一种用于真空镀膜或刻蚀设备真空环境内的温度监测及补偿系统，包括多个温度传感器，多个所述温度传感器分别位于腔体内部的多个测温区内，每个所述测温区内设置有用以补偿温度的温度补偿器，多个所述温度传感器分别与PLC的温度采集模块连接，所述PLC的输出端分别与多个温度补偿器，所述温度传感器为贴片式热电偶或热电阻，所述温度传感器、温度补偿器均通过真空密封方式引出腔体外，所述温度传感器采用贴附的方式与腔体内待测温的待测物贴合。本发明保证了对沉积设备内部采集的温度以及温度补偿效果。
- 减少多层PECVD TEOS氧化物膜中的缺陷的方法-202180077769.1
- R·豪莱德;H·俞;M·S·K·穆蒂亚拉;Z·J·叶;A·凯什里;S·卡马斯;D·R·B·拉吉;D·帕德希 - 应用材料公司
- 2021-10-15 - 2023-08-01 - C23C16/52
- 示例性沉积方法可包括在第一电压下将半导体基板静电卡紧在半导体处理腔室的处理区域内。所述方法可包括执行沉积工艺。沉积工艺可包括在半导体处理腔室的处理区域内形成等离子体。所述方法可包括暂停等离子体在半导体处理腔室内的形成。所述方法可包括与所述暂停同时地，将静电卡紧的第一电压增大至第二电压。所述方法可包括净化半导体处理腔室的处理区域。
- 成膜装置及其检查方法-202211622059.5
- 相泽雄树 - 佳能特机株式会社
- 2022-12-16 - 2023-07-28 - C23C16/52
- 本发明涉及成膜装置及其检查方法，提供高精度地检测来自成膜装置的大气箱的泄漏的技术。使用如下的成膜装置，所述成膜装置具备：大气箱，其配置在真空腔室内，且内部被保持为大气环境；第一供给部件，其向位于大气箱的多个部位的、大气箱的内部的大气泄漏的泄漏部位的候补中的一个部位供给氦气；第二供给部件，其向多个部位中的未被供给氦气的部位供给与氦气不同的气体；以及判定部件，其判定是否从被第一供给部件供给氦气且被第二供给部件供给不同的气体的大气箱检测到泄漏的氦气。
- 一种导流式CVD真空吸管-202320650603.0
- 刘振波;陈宪纬;李滔;江玉卿 - 深圳海容高新材料科技有限公司
- 2023-03-29 - 2023-07-25 - C23C16/52
- 本实用新型涉及化学气相沉积加工技术领域，且公开了一种导流式CVD真空吸管，包括真空泵，所述真空泵的一侧表面设置有真空管，所述真空管的内壁设置有密封圈，所述真空管的两侧均固定连接有固定块，所述固定块的上表面开设有固定槽，所述固定槽的一侧槽壁开设有凹槽，所述凹槽的槽底固定连接有第一伸缩杆。该种导流式CVD真空吸管，通过设置有固定块、弹簧、开关条、卡块，可将真空管安装与拆卸，便于人员操作，安装时，将真空管一端朝导流管移动，拉动开关条，开关条带动卡板移动，使得弹簧受力回缩，同时带动伸缩杆和卡板一同移动，缩入凹槽内，此时将固定块上固定槽对准卡块后推入，使得卡块进入固定槽内部。
- 一种工艺腔室、基座水平监测方法和控制装置-202310465096.8
- 苗凯;薛宏伟;袁肇耿;仇根忠;赵叶军;吴子凡 - 河北普兴电子科技股份有限公司
- 2023-04-26 - 2023-07-21 - C23C16/52
- 本申请提供一种工艺腔室、基座水平监测方法和控制装置。该工艺腔室包括基座、钟罩、至少两个测距传感器以及控制装置；基座位于钟罩内；基座的上表面为圆形；至少两个测距传感器设于基座上方，且位于钟罩外；至少两个测距传感器处于同一水平面，至少两个测距传感器在基座上的投影位置围绕基座的圆心分布，且到基座的圆心距离相同；至少两个测距传感器用于在基座旋转至少一圈的过程中，测量其到基座在竖直方向的多个距离，将多个距离发送到控制装置；控制装置用于根据多个距离，判断基座是否处于水平。本申请能够实现在钟罩安装完毕后对基座的水平状态进行监测，并提高对基座水平状态监测的精确度。
- 使用下游压力感测的升华控制-202180078055.2
- 马文·克莱顿·布里斯;达温德·沙玛;班亚·翁森纳库姆 - 朗姆研究公司
- 2021-11-17 - 2023-07-21 - C23C16/52
- 一种控制气体流动的系统包括用于储存固体前体的安瓿。加热器用于加热所述安瓿，以及将所述固体前体升华为气态前体。质量流量控制器用于调节所述气态前体从所述安瓿到衬底处理室的流动。压力传感器用于测量输入至所述质量流量控制器的所述气态前体的压力。控制器用于使用基于所述压力和压力设定点的闭环控制以向所述电加热器供给功率。
- 一种等离子体增强的多源二维材料制备设备及其工作方法-201811613048.4
- 孔令杰;李晓丽 - 安徽贝意克设备技术有限公司
- 2018-12-27 - 2023-07-18 - C23C16/52
- 本发明公开了一种PE增强的多源二维材料制备设备及其工作方法，该制备设备包括控制区与反应区，反应区设置在控制区的上部，控制区包括控制台、射频发生器、真空获取泵、工控电脑，射频发生器与真空获取泵设置在控制台的一侧，工控电脑设置在控制台的中间区域，控制台的另一侧设有真空计；反应区包括：反应台、PE耦合源、加热反应器、固态源放置区、石英腔体，反应台固定设于控制台的顶部。本发明通过反向低温升华气体作为载体使固态源到基体上二次反应，从而很好的控制生长工艺，通过PE增强解决气源裂解温度在400度以内，通过另一面独立设计一个区域放置固态源并控制其升华温度不受反应区的影响。
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
