[发明专利]半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法在审
| 申请号： | 202110053445.6 | 申请日： | 2021-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN113497058A | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 内山泰宏 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11565;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 白丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的半导体存储装置具备：层叠体，其是多个绝缘层与多个栅极电极层沿第1方向交替地层叠而成的层叠体；半导体层，其沿第1方向延伸；第1电荷蓄积层，其设置于半导体层与第1栅极电极层之间且包含硅及氮；第2电荷蓄积层，其设置于半导体层与第2栅极电极层之间，在与第1电荷蓄积层之间夹持第1绝缘层，与第1电荷蓄积层分离且包含硅及氮；第1绝缘膜，其设置于半导体层与第1电荷蓄积层之间、半导体层与第2电荷蓄积层之间及半导体层与第1绝缘层之间；第2绝缘膜，其设置于第1绝缘膜与第1电荷蓄积层之间、第1绝缘膜与第2电荷蓄积层之间及第1绝缘膜与第1绝缘层之间；以及第2绝缘层，其设置于第1电荷蓄积层与第1栅极电极层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
