[发明专利]一种面向超高温工作环境下芯片测试的MEMS探针结构有效
申请号: | 202110051010.8 | 申请日: | 2021-01-14 |
公开(公告)号: | CN112858884B | 公开(公告)日: | 2022-07-05 |
发明(设计)人: | 于海超 | 申请(专利权)人: | 强一半导体(苏州)有限公司 |
主分类号: | G01R31/28 | 分类号: | G01R31/28;G01R1/073 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明一种面向超高温工作环境下芯片测试的MEMS探针结构属于精密测试计量、微机电系统、IC芯片测试及探针卡技术领域;所述结构从上到下依次设置PCB板、转接板和复合探针头结构,复合探针头结构包括上导板,中间导板和下导板,探针穿过上导板和中间导板后,从下导板伸出;探针包括安装在上导板的上部探针,穿过中间导板的中部探针和安装在下导板的下部探针;上部探针和下部探针具有热胀冷缩特性;中部探针具有热缩冷胀特性;本发明作为面向超高温工作环境下芯片测试的MEMS探针结构及测试方法中的一项关键技术,有利于确保超高温工作环境下,大尺寸或多测试点芯片测试过程中,裸芯与探针之间有效接触,进而有利于对该芯片进行测试。 | ||
搜索关键词: | 一种 面向 超高温 工作 环境 芯片 测试 mems 探针 结构 | ||
【主权项】:
暂无信息
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